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일반적으로 LCD driver IC (LDI)는 고온에 의한 스트레스에 매우 취약한 것으로 알려져 있다. 본 논문에서 LDI의 손상을 피하기 위해 LDI에 응용 가능한 내장형 궤환 온도센서를 제안했다. 궤환 동작을 위해 기본적인 PTAT 회로에 트랜지스터 스위치를 추가하여 온도감지와 절전모드의 두 가지 동작모드를 갖도록 하였고 전류 미러에 능동 캐스코드를 추가하여 전류 정합특성이 우수하고, LCD source driver IC(LDI)의 어플리케이션에 알맞은 사양의 출력 값을 갖도록 하였다. 모의실험 결과, 제안한 회로는 온도감지 모드에서 75℃에서 1V의 출력전압과 125℃에서 2V의 선형적인 출력전압을 갖고, 절전모드에서 거의 0V의 전압을 갖는다. 제안한 온도센서는 기존의 IC 온도센서 들과 달리 ADC를 사용하지 않아 간단한 구조를 갖고 standard CMOS 공정을 이용하여 설계되므로 칩에 내장되어 외부에 온도센서부품을 추가하는 것보다 칩 생산 단가를 낮출 수 있다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 모의 실험 결과
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개
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1. [학술지(정기간행물)] - A. Bakker / 1996 / Micropower CMOS temperature sensor with digital output / IEEE J. Solid-State Circuits 31 (7) : 933 ~ 937
2. [학술지(정기간행물)] - M. Tuthill / 1998 / A switched-current, switched-capacitor temperature sensor in 0.6um CMOS / IEEE J. Solid-State Circuits 33 (7) : 1117 ~ 1122
3. [학술지(정기간행물)] - M.A.P. Pertijs / 2005 / A CMOS smart temperature sensor with a 3σ inaccuracy of ±0.5°C from -55°C to 125°C / IEEE J. Solid-State Circuits 40 (2) : 454 ~ 461
4. [학술지(정기간행물)] - X. Conghui / 2009 / An ultra-low-power CMOS temperature sensor for RFID applications / IEEE J. Semiconductors 30 (4) : 1 ~ 4
5. [단행본] - 박홍준 / 1999 / CMOS 아날로그 회로 설계(상) / Σ시그마프레스 : 489 ~ 506
2. [학술지(정기간행물)] - M. Tuthill / 1998 / A switched-current, switched-capacitor temperature sensor in 0.6um CMOS / IEEE J. Solid-State Circuits 33 (7) : 1117 ~ 1122
3. [학술지(정기간행물)] - M.A.P. Pertijs / 2005 / A CMOS smart temperature sensor with a 3σ inaccuracy of ±0.5°C from -55°C to 125°C / IEEE J. Solid-State Circuits 40 (2) : 454 ~ 461
4. [학술지(정기간행물)] - X. Conghui / 2009 / An ultra-low-power CMOS temperature sensor for RFID applications / IEEE J. Semiconductors 30 (4) : 1 ~ 4
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