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본 논문에서는 3～5 GHz의 동작 주파수를 가지는 0.18-㎛ CMOS 저전력/광대역 저잡음 증폭기 구조를 제안한다. 제안하는 광대역 저잡음 증폭기는 광대역 입력 정합, 발룬 기능, 그리고 우수한 노이즈 특성을 얻기 위해 노이즈 제거 회로 구조를 채택하였다. 특히, 2차 LC-대역 통과 필터를 증폭기의 부하로 구현함으로써 기존에 발표된 문헌들보다 최소 전력을 소모하면서 높은 전력 이득과 낮은 잡음 지수를 얻을 수 있었다. 본 논문에서 제안하는 저잡음 증폭기는 1.8 V 공급 전압으로부터 단지 3.94 ㎃의 전류를 소모하며, 모의 실험 결과, 3～5 ㎓ UWB 대역에서 전력 이득은 최소 +17 ㏈ 이상, 잡음 지수는 최대 +4 ㏈ 이하, 그리고 입력 IP3는 ?15.5 ㏈m을 가진다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 제안한 저잡음 증폭기 설계
Ⅲ. 모의 실험 결과
Ⅳ. 결론
참고문헌
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