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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications ICEIC : 2008
- 발행연도
- 2008.6
- 수록면
- 981 - 984 (4page)
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Commercialization of Magnetic Random Access Memory (MRAM) is getting very promising by recent introduction of Spin Transfer Torque (STT) switching technology. In this paper, characteristics of an STT-based Magnetic-Tunnel-Junction(MTJ) element have been studied to examine the feasibility of its use as a giga-scale memory element. The switching principle of STT-based memory cell is compared with that of a conventional MRAM cell. Constraints on characteristics of STT-based MTJ element are derived based on the analysis of peripheral circuits for read and write operations. The measurement data reported in the literature are analyzed to verify if they meet the derived constraints. The results show some of the data belong to operating criteria whereas the others need a little improvement in terms of I<SUB>write</SUB>/I<SUB>read</SUB> ratio and J<SUB>write</SUB>.
목차
Abstract
1. Introduction
2. Structure and Operation Principle of MRAM cell
3. Analysis of Reported Data related to STT cell
3. Conclusions
References
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