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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.3
- 수록면
- 221 - 228 (8page)
이용수
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대면적 비정질 실리콘 박막의 결정화는 평판 디스플레이 생산에 있어서 핵심 요소로 꼽힌다. 현재 다양한 결정화 기술들이 연구 되고 있으며 그 중 최근에 소개된 줄 가열 유도 결정화는 수십 마이크로초의 짧은 공정 시간, 대면적 결정화 그리고 국부적인 가열로 기판의 열변형 억제 등의 잇점으로 인해 AMOLED 제작에 있어서 기대되는 기술이다. 본 연구에서는 JIC 공정 중 상변화과정에서의 온도를 이론적으로 해석하고 이를 실험과 비교하였다. 이를 통하여 결정화 메커니즘을 결정하는 임계온도를 in-situ 실험과 수치해석을 통해 밝혀내었다.
목차
초록
Abstract
1. 서론
2. 실리콘 상 변화 과정
3. 온도 측정
4. 온도 해석 모델
5. 결과 및 토의
6. 결론
후기
참고문헌
참고문헌 (19)
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1. [학술지(정기간행물)] - Peng, D. Z / 2002 / Comparison of Poly-Si Films Deposited By UHVCVD and LPCVD and Its Application for Thin Film Transistors / Vacuum 67 : 641 ~ 645
2. [학술지(정기간행물)] - Im, J. S / 1993 / Phase Transformation Mechanisms Involved in Excimer Laser Crystallization of Amorphous Silicon Films / Appl. Phys. Lett 63 : 2969 ~ 2971
3. [학술지(정기간행물)] - Voutsas, A. T / 1992 / Structure of As-Deposited LPCVD Silicon Films at Low Deposition Temperature and Pressures / J. Electrochem. Soc 139 (9) : 2659 ~ 2665
4. [학술지(정기간행물)] - Yoon, S. Y / 2001 / Metal-Induced Crystallization of Amorphous Silicon / Thin Solid Films 383 : 34 ~ 38
5. [학술지(정기간행물)] - Lee, S. W / 1996 / Low Temperature Poly-Si Thin-Film Transistor Fabrication by Metal-Induced Lateral Crystallization / IEEE Electron Dev. Lett 17 (4) : 160 ~ 162
2. [학술지(정기간행물)] - Im, J. S / 1993 / Phase Transformation Mechanisms Involved in Excimer Laser Crystallization of Amorphous Silicon Films / Appl. Phys. Lett 63 : 2969 ~ 2971
3. [학술지(정기간행물)] - Voutsas, A. T / 1992 / Structure of As-Deposited LPCVD Silicon Films at Low Deposition Temperature and Pressures / J. Electrochem. Soc 139 (9) : 2659 ~ 2665
4. [학술지(정기간행물)] - Yoon, S. Y / 2001 / Metal-Induced Crystallization of Amorphous Silicon / Thin Solid Films 383 : 34 ~ 38
5. [학술지(정기간행물)] - Lee, S. W / 1996 / Low Temperature Poly-Si Thin-Film Transistor Fabrication by Metal-Induced Lateral Crystallization / IEEE Electron Dev. Lett 17 (4) : 160 ~ 162
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