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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Sunwoo Lee (인하공업전문대학) SangYeob Na (남서울대학교)
저널정보
대한전기학회 Journal of Electrical Engineering & Technology Journal of Electrical Engineering & Technology Vol.6 No.2
발행연도
2011.3
수록면
280 - 283 (4page)

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In the present work, a new approach is proposed for via interconnects of semiconductor devices, where multi-wall carbon nanotubes (MWCNTs) are used instead of conventional metals. In order to implement a selective growth of carbon nanotubes (CNTs) for via interconnect, the buried catalyst method is selected which is the most compatible with semiconductor processes. The cobalt catalyst for CNT growth is pre-deposited before via hole patterning, and to achieve the via etch stop on the thin catalyst layer (ca. 3㎚), a novel 2-step etch scheme is designed; the first step is a conventional oxide etch while the second step chemically etches the silicon nitride layer to lower the damage of the catalyst layer. The results show that the 2-step etch scheme is a feasible candidate for the realization of CNT interconnects in conventional semiconductor devices.

목차

Abstract
1. Introduction
2. Experiments
3. Results and Discussions
4. Conclusion
Acknowledgement
References

참고문헌 (14)

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