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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.5
- 수록면
- 538 - 544 (7page)
이용수
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본 논문에서는 0.1 ㎛ GaAs p-HEMT 상용 공정을 이용한 E-대역 상/하향 주파수 변환기용 소형 MMIC 단일평형 다이오드 혼합기를 개발하였다. 본 혼합기에는 LO 발룬을 포함하며 우수한 RF 특성의 Marchand 발룬을 사용하였다. RF 포트와 IF 포트에서는 고역 통과 필터와 저역 통과 필터를 각각 사용하여 포트별 격리도를 향상시켰다. 0.58 ㎟(0.85 ㎜×0.68 ㎜) 칩 크기의 매우 소형으로 제작된 단일 평형 다이오드 혼합기의 측정 결과, 71～86 ㎓ 주파수 범위에서 10 ㏈m LO 입력에 대해 삽입 손실이 8～12 ㏈이고, 입력 P1㏈가 1～5 ㏈m의 결과를 보였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 혼합기 설계
Ⅲ. 혼합기 제작 및 시험
Ⅳ. 결론
참고문헌
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