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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.7
- 수록면
- 35 - 40 (6page)
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본 논문에서는 memristor 소자를 적용한 비휘발성 SRAM cell의 안정성을 분석하였다. 제안하는 SRAM cell은 기존cell의 pull-up 각각에 memristor 소자를 직렬로 연결한 것이다. 제안된 SRAM cell은 전원이 꺼지면 SRAM cell의 latch에 쓰여 진 데이터를 읽어 들여 memristor 소자의 저항 값이 변화한다. 전원이 들어오면 memristor의 저항 차에 의해 SRAM cell에 저장되었던 값이 저절로 복원된다. 제안된 SRAM cell의 안정성은 Monte Carlo 시뮬레이션을 통하여 검증되었다. 제안한 비휘발성 SRAM cell의 안정성은 기존 cell에 비하여 큰 차이가 없는 것으로 나타났다. 특히 6T cell이 4T cell에 비하여 우수한 것으로 보인다. 제안하는 비휘발성 SRAM cell의 안정성은 컴퓨터에 활용할 경우 영속적인 데이터의 유지에 이용할 수 있다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 제안하는 비휘발성 SRAM
Ⅲ. Cell stability simulation
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개
참고문헌 (7)
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1. [학술지(정기간행물)] - C. E. Herdt / 1992 / Analysis, measurement, and simulation of dynamic write inhibit in an nvSRAM cell / IEEE Trans. Electron. Devices 39 (5) : 1191 ~ 1196
2. [학술지(정기간행물)] - G. M. Huang / 2011 / Dynamical Properties and Design Analysis for Nonvolatile Memristor Memories / IEEE Transactions on Circuit and System 58 (4) : 724 ~ 736
3. [학술지(정기간행물)] - L. 0. Chua / 1971 / Memaristor -the missing circuit element / IEEE Transactions on Circuit Theory 18 (5) : 507 ~ 519
4. [학술지(정기간행물)] - L. 0. Chua / 1976 / Memristive devices and systems / IEEE Transactions on Circuit Theory 64 (2) : 209 ~ 222
5. [학술지(정기간행물)] - D. B. Strukov / 2008 / The missing memristor found / Nature International Weekly Journal of Science (453) : 80 ~ 83
2. [학술지(정기간행물)] - G. M. Huang / 2011 / Dynamical Properties and Design Analysis for Nonvolatile Memristor Memories / IEEE Transactions on Circuit and System 58 (4) : 724 ~ 736
3. [학술지(정기간행물)] - L. 0. Chua / 1971 / Memaristor -the missing circuit element / IEEE Transactions on Circuit Theory 18 (5) : 507 ~ 519
4. [학술지(정기간행물)] - L. 0. Chua / 1976 / Memristive devices and systems / IEEE Transactions on Circuit Theory 64 (2) : 209 ~ 222
5. [학술지(정기간행물)] - D. B. Strukov / 2008 / The missing memristor found / Nature International Weekly Journal of Science (453) : 80 ~ 83
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