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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
김동호 (고려대학교) 손성훈 (고려대학교) 김태근 (고려대학교)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 第48卷 SD編 第7號
발행연도
2011.7
수록면
10 - 16 (7page)

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본 논문에서는 고효율·고출력 무분극 GaN LED의 구현을 위하여 Mg이 도핑된 GaN spacer층 및 GaN quantum barrier(QB)층을 삽입한 구조를 제안하였다. 제안한 구조에 대한 물리적 해석을 위하여 일반적인 무분극 LED 에피구조와 본 연구에서 제안한 p-GaN spacer층 및 p-GaN QB층이 삽입된 무분극 LED 에피구조에 대해 상용화된 SimuLEDTM 시뮬레이터를 이용하여 전기적/광학적 특성을 비교·분석하였다. 실험 결과, 본 연구에서 제안한 무분극 LED는 20 mA의 전류주입 하에서 동작전압(Vf)이 일반적인 무분극 LED에 비해 약 3.7% 감소된 3.67 V의 전기적 특성을 갖는 것을 확인하였고, 광출력은 약 7% 향상된 2.13 mW의 광학적 특성을 갖는 구조임을 확인하였다. 또한, 내부양자효율(Internal quantum efficiency, IQE)과 광방출세기(emission peak intensity) 역시 각각 9.1% 및 170% 향상된 우수한 특성을 갖는 에피구조임을 확인하였다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결과 및 토론
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개

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