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학술대회자료
저자정보
C.N.M. Ho (ABB Switzerland Ltd) H. Breuninger (ABB Switzerland Ltd) S. Pettersson (ABB Switzerland Ltd) G. Escobar (ABB Switzerland Ltd) L. Serpa (ABB Switzerland Ltd) A. Coccia (ABB Switzerland Ltd)
저널정보
전력전자학회 ICPE(ISPE)논문집 ICPE 2011-ECCE Asia
발행연도
2011.5
수록면
372 - 379 (8page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2011

A Comparative Performance Study of an Interleaved Boost Converter using Commercialized Si and SiC Diodes for PV Applications
C.N.M. Ho ,  H. B ,  euninge 외 4명 ICPE(ISPE)논문집 2011.05 학술대회자료
Practical Implementation of an Interleaved Boost Converter using SiC Diodes for PV Applications
C.N.M. Ho ,  H. B ,  euninge 외 6명 ICPE(ISPE)논문집 2011.05 학술대회자료

초록· 키워드

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The implementation of an interleaved boost converter using SiC diodes for PV applications is presented in this paper. The converter consists of two switching cells sharing the PV panel output current. Their switching patterns are synchronized with 180 degree phase shift. Each switching cell has a SiC Schottky diode and a CoolMOS switching device. The SiC diodes provide zero reverse recovery current ideally, which reduces the commutation losses of the switches. Such advantage from the SiC diodes can make the converter system achieve higher efficiency and higher power density by reducing the requirement of the cooling system. This paper presents also an optimization study of the size and efficiency of the interleaved boost converter. Based on 1) the steady-state characteristic of the topology, 2) the static and dynamic characteristics of the switching cells, 3) the loss model of the magnetic components and 4) the cooling system design, the paper provides a set of design criteria, procedures and experimental results for a 2.5 ㎾ interleaved boost converter using SiC diodes prototype.
#Power semiconductor #SiC #diode #MOSFET #interleaved boost converter #PV

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. REVIEW OF STEADY-STATE CHARACTERISTICS OF IBC
Ⅲ. INDUCTORS
Ⅳ. SEMICONDUCTORS EVALUATION
Ⅴ. COOLING SYSTEM
Ⅵ. EXPERIMENTAL VERIFICATIONS
Ⅶ. CONCLUSIONS
REFERENCES

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