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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2000.11
- 수록면
- 18 - 24 (7page)
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(Ba,Sr)TiO₃ 박막은 ULSI-DRAM 즉 1-4 Gbit급 DRAM용 셀(cell) 커패시터의 새로운 유전물질로 각광받고 있다. 본 연구에서는 ICP 장비에서 BCl₃/Cl₂/Ar 플라즈마로 (Ba,Sr)TiO₃ 박막을 식각하였다. 이때 RF power/dc bias voltage는 600W/-250V, 반응로의 압력은 10mTorr 이었다. Cl₂/(Cl₂+Ar)은 0.2로 고정하였고 BCl₃ 가스를 첨가하면서 (Ba,Sr)TiO₃ 박막을 식각하였다. BCl₃ 가스를 10% 첨가하였을 때, 480Å/min으로 (Ba,Sr)TiO₃ 박막은 가장 높은 식각 속도를 나타내었다. Cl₂/Ar가스에 BCl₃의 첨가 비에 따른 Cl, BCl 및 B의 라디칼 밀도를 optical emission spectroscopy(OES)에 의해 구하였다. BCl₃를 10% 첨가하였을 때 C1의 라디칼 밀도가 가장 높았다. (Ba,Sr)TiO₃ 박박의 표면반응을 규명하기 위하여 XPS 분석을 수행한 결과 이온 bombardment 식각이 Ba-O 결합을 파괴하고 Ba와 Cl의 결합형태인 BaCl₂을 제거하기 위하여 필요하다. Sr과 Cl의 결합의 양은 많지 않고, Sr은 주로 물리적인 스퍼터링에 의하여 제거된다. Ti와 Cl은 화학적으로 반응하여 TiCl₄ 결합형태로 용이하게 제거된다. 식각후 단면사진을 SEM을 통해 본 결과 식각단면이 약 65~70° 정도였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결과 및 검토
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개
참고문헌 (0)
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