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대한전자공학회 ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications ITC-CSCC : 2006 Proceedings volume 2
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    초록·키워드

    A new compact 3-gates single-electron transistor (SET) model for circuit simulation by SPICE is introduced. In addition to the three gates, a random background charge QO is included in the model. The Coulomb oscillation in drain-source current (Ids) versus gate-source voltage (Vgs) characteristics and the Coulomb staircase in Ids versus drain-source voltage (Vds) will be calculated, and the calculated results will be compared with the results of the Monte-Carlo simulator. One simulation example of SE-FET hybrid circuits, combining SETs and FETs, is successfully calculated.

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