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이승민 (인천대학교) 김진영 (인천대학교) 유종근 (인천대학교) 박종태 (인천대학교)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 第49卷 SD編 第1號
발행연도
2012.1
수록면
8 - 14 (7page)

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전체 채널 폭은 같지만 핀 수와 핀 폭이 다른 n-채널 MuGFET의 특성을 측정 비교 분석하였다. 사용된 소자는 Pi-gate 구조의 MuGFET이며 핀 수가 16이며 핀 폭이 55nm인 소자와 핀 수가 14이며 핀 폭이 80nm인 2 종류의 소자이다. 측정 소자성능은 문턱전압, 이동도, 문턱전압 roll-off, DIBL, inverse subthreshold slope, PBTI, hot carrier 소자열화 및 드레인 항복전압 이다. 측정 결과 핀 폭이 작으며 핀 수가 많은 소자의 단채널 현상이 우수한 것을 알 수 있었다. PBTI에 의한 소자열화는 핀 수가 많은 소자가 심하며 hot carrier에 의한 소자열화는 비슷한 것을 알 수 있었다. 그리고 드레인 항복 전압은 핀 폭이 작고 핀 수가 많은 소자가 높은 것을 알 수 있었다. 단채널 현상과 소자열화 및 드레인 항복전압 특성을 고려하면 MuGFET 소자 설계 시 핀 폭을 작게 핀 수를 많게 하는 것이 바람직하다.
#MuGFET #multi-finger structure #short channel effects #device degradation #breakdown voltage

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 소자 및 측정
Ⅲ. 단채널 현상
Ⅳ. 소자열화 특성
Ⅴ. 드레인 항복 특성
Ⅵ. 결론
참고문헌
저자소개

참고문헌 (13)

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1. [학술지(정기간행물)] - Jong Tae Park / 2002 / Multiple gate SOI MOSFETs :Device design guidelines,” IEEE Trans / IEEE Trans. Electron Device 49 (12) : 2222 ~ 2228 google schola 2. [학술지(정기간행물)] - Navab Singh / 2008 / Si SiGe Nanowire devices by top-down technology and their applications / IEEE Trans. Electron Devices 55 (11) : 3107 ~ 3118 google schola 3. [학술지(정기간행물)] - S.D. Suk / 2008 / High-performance twinsilicon nanowire MOSFET (TSNWFET) on bulk Si wafer / IEEE Trans. Nanotechnology 7 (2) : 181 ~ 184 google schola 4. [학술지(정기간행물)] - Jong Tae Park / 2001 / Pi-Gate SOI MOSFET / IEEE Electron Device Lett 22 (8) : 405 ~ 406 google schola 5. [단행본] - J.P. Colinge / 2007 / FinFETs and other Multi-gate Transistors / Springer google schola

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