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논문 기본 정보

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학술저널
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강정민 (국민대) 이상현 (삼성전자) 홍성수 (국민대) 한상규 (국민대)
저널정보
전력전자학회 전력전자학회논문지 전력전자학회 논문지 제17권 제1호
발행연도
2012.2
수록면
34 - 40 (7page)

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In this paper, voltage clamped tapped-inductor boost converter with high voltage conversion ratio is proposed. The conventional tapped-inductor boost converter has a serious drawback such as high voltage stresses across all power semiconductors due to the high resonant voltage caused by the leakage inductor of tapped inductor. Therefore, the dissipative snubber is essential for absorbing this resonant voltage, which could degrade the overall power conversion efficiency. To overcome these drawbacks, the proposed converter employs a voltage clamping capacitor instead of the dissipative snubber. Therefore, the voltage stresses of all power semiconductors are not only clamped as the output voltage but the power conversion efficiency can also be considerably improved. Moreover, since the energy stored in the clamp capacitor is transferred to the output side together with the input energy, the proposed converter can achieve the higher voltage conversion ratio than the conventional tapped-inductor boost converter. Therefore, the proposed converter is expected to be well suited to various applications demanding the high efficiency and high voltage conversion ratio. To confirm the validity of the proposed circuit, the theoretical analysis and experimental results of the proposed converter are presented.

목차

Abstract
1. 서론
2. 기존 탭인덕터 부스트 컨버터
3. 제안된 탭인덕터 부스트 컨버터
4. 모의실험 및 실험결과
5. 결론
참고문헌

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