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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
강인만 (경북대학교)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 第49卷 SD編 第4號
발행연도
2012.4
수록면
1 - 6 (6page)

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본 논문에서는 고주파에서 동작하는 터널링 전계효과 트랜지스터 (TFET)의 소신호 파라미터 추출과 이에 대한 분석을 다루고 있다. 시뮬레이션으로 구현된 TFET의 채널 길이는 50 nm에서 100 ㎚ 사이에서 변화되었다. Conventional planar MOSFET 기반의 quasi-static 모델을 이용하여 TFET의 파라미터 추출이 이루어졌으며 다른 채널 길이를 갖는 TFET에 대한 소신호 파라미터의 값을 게이트 바이어스 변화에 따라서 추출하였다. 추출 결과로부터 effective gate resistance와 transconductance, source-drain conductance, gate capacitance 등 주요 파라미터의 채널 길이 변화에 따른 경향성이 conventional MOSFET과 상당히 다른 것을 확인하였다. 그리고 fT는 MOSFET과 달리 게이트 길이 역수의 값에 정확히 반비례하는 특성을 보였으며 TFET의 고주파 특성 향상을 transconductance의 개선이 아닌 gate capacitance의 감소에 의하여 가능함을 알 수 있었다.
#tunneling #small-signal #model #hspice #parameter #FET

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개

참고문헌 (10)

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1. [학술지(정기간행물)] - 윤형선 / 2004 / RFIC를 위한 Nano-scale MOSFET의 Effective gate resistance 특성 분석 / 전자공학회논문지 - SD 41 (11) : 965 ~ 970 dbpia 2. [학술지(정기간행물)] - 이병진 / 2007 / SOI MOSFET’s의 소신호 등가 모델과 변수 추출 / 전자공학회논문지 - IE 44 (2) : 1 ~ 7 dbpia 3. [학술대회논문] - N.-K. Tak / 2004 / RF Small Signal Modeling of Tri-Gate MOSFETs Implemented on Bulk Si Wafers / 2004 Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems : 266 ~ 269 google schola 4. [학술지(정기간행물)] - In Man Kang / 2006 / Non-Quasi-Static Small-Signal Modeling and Analytical Parameter Extraction of SOI FinFETs / IEEE Trans. Nanotechnol 5 (3) : 205 ~ 210 google schola 5. [학술지(정기간행물)] - Y. Yang / 2010 / Tunneling field-effect transistor: Capacitance components and modeling / IEEE Electron Device Lett 31 (7) : 752 ~ 754 google schola

이 논문의 저자 정보

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