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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2012.8
- 수록면
- 47 - 54 (8page)
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본 논문에서는 테라헤르츠 시스템에 적용 가능한 쇼트키 다이오드를 이종 레지스트 패터닝 기술을 이용하여 제작 하였다. 제작된 쇼트키 다이오드는 전자선묘화공정(electron beam lithography)과 포토리소그래피(photolithography)를 사용하여 양극 및 양극 패드의 연결을 동시에 패터닝 하여 공정을 단순화 시켰다. 측정결과 제작된 쇼트키 다이오드의 직렬 저항은 11.2 Ω, 접합용량은 25.96 fF, 이상 계수(ideality factor)는 1.25를 얻었으며, 차단 주파수는 547.6 ㎓를 얻었다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 이종 레지스트 패터닝 기술 개발
Ⅲ. 쇼트키 다이오드의 제작
Ⅳ. 실험 결과 및 고찰
Ⅴ. 결론
참고문헌
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