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초임계 이산화탄소를 이용하여 희생 SiO₂층에 대한 건식 식각 실험을 진행하였다. HF/pyridine (HF/py) 식각액과 알콜 첨가제를 사용하여 이중 챔버 시스템 방식으로 boron phosphor silica glass (BPSG), tetraethyl orthosilicate (TEOS), thermal SiO2와 Si-nitride (SiN)의 박막 층에 대한 식각 성능을 조사하였다. 메탄올의 첨가에 의하여 실리카 희생막에 대한 HF/py의 식각률이 높아지는 것을 확인할 수 있었다. BPSG를 제외하고는 메탄올이 가장 높은 식각률을 보여줬지만, BPSG의 SiN에 대한 식각 선택비는 이소프로판올이 가장 높았다. HF/py/MeOH 계의 건식 식각반응에서 반응 온도에 따라서 박막별 식각률이 증가 하였다. 특히 반응 온도 증가에 따라 BPSG의 식각 속도의 증가폭이 매우 높게 나타났다. HF/py에 알콜 공용매를 첨가하여도 식각 부산물 감소에는 크게 효과가 없었다. HF/H₂O의 식각률이 HF/py/alcohol 보다 높게 나타났지만 HF/H₂O에 알콜 공용매를 첨가하였을 때는 오히려 식각률이 감소되었다. 캔틸레버 빔 구조를 초임계 이산화탄소 건식 식각으로 제조하여 높은 종횡비의 패턴구조물을 손상 없이 성공적으로 식각할 수 있었다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 실험 방법
3. 실험 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
참고문헌 (17)
참고문헌 신청
1. [학술대회논문] - De Moor, P. / 2000 / Linear Array of Uncooled Poly SiGe Microbolometers for IR Detection / Proc. SPIE 4028 : 27 ~ 34
2. [학술지(정기간행물)] - Monk, D. J. / 1991 / Sacrificial Layer SiO2 Wet Etching for Micro Machining Applications / Transducer : 647 ~ 650
3. [학술지(정기간행물)] - Judge, J. S. / 1971 / A Study of the Dissolution of SiO2 in Acidic Fluoride Solutions / J. Electrochem. Soc. 118 : 1772 ~ 1775
4. [학술지(정기간행물)] - Monk, D. J. / 1993 / Determination of the Etching Kinetics for the Hydrofluoric Acid/Silicon Dioxide System / J. Electrochem. Soc 140 : 2339 ~ 2346
5. [학술대회논문] - Jafri, I. / 1999 / Critical Point Drying and Cleaning for MEMS Technology / Proc.-SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 3880 : 51 ~ 58
2. [학술지(정기간행물)] - Monk, D. J. / 1991 / Sacrificial Layer SiO2 Wet Etching for Micro Machining Applications / Transducer : 647 ~ 650
3. [학술지(정기간행물)] - Judge, J. S. / 1971 / A Study of the Dissolution of SiO2 in Acidic Fluoride Solutions / J. Electrochem. Soc. 118 : 1772 ~ 1775
4. [학술지(정기간행물)] - Monk, D. J. / 1993 / Determination of the Etching Kinetics for the Hydrofluoric Acid/Silicon Dioxide System / J. Electrochem. Soc 140 : 2339 ~ 2346
5. [학술대회논문] - Jafri, I. / 1999 / Critical Point Drying and Cleaning for MEMS Technology / Proc.-SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 3880 : 51 ~ 58
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