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대한전자공학회 ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications International Conference on Electronics, Informations and Communications (ICEIC) 1998
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    In this paper, the design and realization of an CTS band[1](communication technology satellite band from 11.7 GHz - 12.2 GHz) GaAs low noise amplifier are discussed. The two stage LNA which has a 2.7 dB typical noise figure and an associated gain of 18.731±1.115 dB from 11.75 GHz to 12.25 GHz is described. The VSWR at the input and output ports is lower than 1.5 : 1. millimeter wave amplification. For receiver preamplifiers, the aim of design is minimized amplifier noise figure rather than the gain. In this study, a two-stage GaAs MESFET low noise amplifier was designed and fabricated for use in CTS band. The circuit used a packaged type HP ATF-13284 1-16 GHz low noise GaAs FET with a center frequency of 12 GHz. Here, we designed the circuit with commercial software EEsof Libra for microwave application. Micro-pen of Micro-pen Inc. and Wedge Bonder are used to fabricate the LNA.

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