A Fully-Integrated Low Power K-band Radar Transceiver in 130nm CMOS Technology

Q: 이 논문에서 정의한 K-대역이란 무엇인가?

24 GHz 주파수 대역을 의미하며, 자동차 레이더를 비롯하여 보안 및 산업 분야의 다양한 응용 분야에 광범위하게 사용되는 주파수 영역을 말한다.

Q: 130nm CMOS 공정 기반 K-대역 레이더 트랜시버의 구현 성과는 무엇인가?

연구 결과, 주입 잠금 버퍼와 이득 향상 기법을 통해 142 mW의 저전력 소모와 1.2 mm x 1.4 mm의 소형 칩 크기를 달성하였으며, 19 dB의 수신 이득과 9 dBm의 송신 출력 전력을 확보하였다.

Seong-Kyun Kim; Chenglin Cui; Byung-Sung Kim; SoYoung Kim

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자료유형: 학술저널

저자정보: Seong-Kyun Kim (성균관대학교) Chenglin Cui (성균관대학교) Byung-Sung Kim (성균관대학교) SoYoung Kim (성균관대학교)

저널정보: 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.12 No.4

발행연도: 2012.12

수록면: 426 - 432 (7page)

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A fully-integrated low power K-band radar transceiver in 130 ㎚ CMOS process is presented. It consists of a low-noise amplifier (LNA), a downconversion mixer, a power amplifier (PA), and a frequency synthesizer with injection locked buffer for driving mixer and PA. The receiver front-end provides a conversion gain of 19 ㏈. The LNA achieves a power gain of 15 ㏈ and noise figure of 5.4 ㏈, and the PA has an output power of 9 ㏈m. The phase noise of VCO is -90 ㏈c/㎐ at 1-㎒ offset. The total dc power dissipation of the transceiver is 142 ㎽ and the size of the chip is only 1.2 × 1.4 ㎟.

#CMOS integrated circuit #k-band #millimeter-wave #radar #transceiver #low-noise amplifier #power amplifier

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