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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Min-Chul Jun (Kwangwoon University) Jung-Hyuk Koh (Kwangwoon University)
저널정보
대한전기학회 Journal of Electrical Engineering & Technology Journal of Electrical Engineering & Technology Vol.8 No.1
발행연도
2013.1
수록면
163 - 167 (5page)

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Aluminum doped zinc oxide (AZO) thin films have been prepared on the glass substrates (Corning 1737) by sol-gel dip-coating method employing zinc acetate and aluminum chloride hexahydrate for the transparent conducting oxide (TCO) applications. 1 at% Al was doped to the ZnO thin films. The effects of post-heating temperature on the crystallization, optical and electrical properties of the AZO films have been investigated. Experimental results showed that post-heating temperature affected the microstructure, electrical resistance, and optical transmittance of the AZO films. From the X-ray diffraction analysis, all films have hexagonal wurtzite crystal structure. Optical transmittance spectra of the AZO films exhibited transmittance higher than about 80% within the visible wavelength region and the optical direct band gap (E<SUB>g</SUB>) of these films was increased with increasing post-heating temperature. A minimum resistivity of 2.5×10<SUP>-3</SUP> Ω cm was observed at 650 °C.
#Al-doped ZnO #Transparent conducting oxide #Sol-Gel process #Thin films

목차

Abstract
1. Introduction
2. Experimental
3. Results and Discussion
4. Conclusion
Acknowledgements
References

참고문헌 (20)

참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - S. J. Pearton. / 2003 / Recent Progress in Processing and Properties of ZnO / Super and Micro 34 : 3 ~ google schola 2. [학술지(정기간행물)] - D. C. Lock. / 1999 / Residual Native Shallow Donor in ZnO / Phys. Rev. Lett 82 : 2552 ~ google schola 3. [학술지(정기간행물)] - F. Leiter. / 2003 / Oxygen Vacancies in ZnO / Phys B 340 : 201 ~ google schola 4. [학술지(정기간행물)] - R. G. Gordon / 2000 / Criteria for Choosing Transparent Conductors / MRS Bulletin 52 google schola 5. [학술지(정기간행물)] - T. Minami. / 1985 / Optical Properties of Aluminum Doped Zinc Oxide Thin Films Prepared by RF Magnetron Sputtering / Jpn. J. Appl. Phys 24 : L781 ~ google schola

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