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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2013.3
- 수록면
- 278 - 285 (8page)
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본 논문에서는 상용 65 n CMOS 공정을 이용하여 100～110 GHz에서 동작하는 저잡음 증폭기와 커플러를 구현하였다. 제작된 LNA는 3단 공통 소스 FET로 구성되었다. 단위 공통 소스 셀의 높은 이득 특성을 얻기 위해 이를 고려한 레이아웃을 하였다. 또한, 저잡음 특성과 충분한 이득을 얻기 위해 성능을 최적화시켰다. 커플러는 CMOS 공정의 multimetal을 이용한 broadside 커플러로 구성하였다. Density rule을 만족시키기 위한 metal strip을 사용해 이에 의한 영향을 고려해 커플러 동작이 가능하도록 설계하였다. 제작된 저잡음 증폭기의 측정 결과, 100 GHz에서 5.64 dB, 110 GHz에서 6.39 dB의 이득과 10 % 이상의 3-dB 대역폭, 11.66 dB의 잡음 지수를 얻었다. 커플러는 100～110 GHz 대역에서 2～3 dB의 삽입 손실, 1 dB 이하의 magnitude mismatch와 5° 이하의 phase mismatch를 얻었다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 회로 설명
Ⅲ. 제작 및 측정
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (7)
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1. [단행본] - B. Razavi / 2011 / RF Microelectronics / W. H. Freeman
2. [학술지(정기간행물)] - Munkyo Seo / 2009 / A 150 GHz amplifier with 8 dB gain and +6 dBm Psat in digital 65 nm CMOS using Dummy-prefilled microstrip lines / IEEE Journal of Solid-State Circuits 44 (12)
3. [학술대회논문] - Ozgur Inac / 2011 / Millimeter-wave and THz circuits in 45-nm SOI CMOS / IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium
4. [학술지(정기간행물)] - S. Seki / 1981 / Cross-tie slow-wave coplanar waveguide on semi-insulating GaAs substrates / Electronics Letters 17 (25)
5. [학술지(정기간행물)] - Hsuan-Yi Su / 2011 / A 78~102 GHz front-end receiver in 90 nm CMOS technology / IEEE Microwave and Wireless Components Letters 21 (9)
2. [학술지(정기간행물)] - Munkyo Seo / 2009 / A 150 GHz amplifier with 8 dB gain and +6 dBm Psat in digital 65 nm CMOS using Dummy-prefilled microstrip lines / IEEE Journal of Solid-State Circuits 44 (12)
3. [학술대회논문] - Ozgur Inac / 2011 / Millimeter-wave and THz circuits in 45-nm SOI CMOS / IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium
4. [학술지(정기간행물)] - S. Seki / 1981 / Cross-tie slow-wave coplanar waveguide on semi-insulating GaAs substrates / Electronics Letters 17 (25)
5. [학술지(정기간행물)] - Hsuan-Yi Su / 2011 / A 78~102 GHz front-end receiver in 90 nm CMOS technology / IEEE Microwave and Wireless Components Letters 21 (9)
이 논문의 저자 정보
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