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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Van Cao Nguyen (Pusan National University) Tae Hyeon Kim (Pusan National University) Hye Sung Kim (Pusan National University) Dong Chul Shin Tae Gyu Kim (Pusan National University)
저널정보
한국기계가공학회 한국기계가공학회지 한국기계가공학회지 제12권 제2호
발행연도
2013.4
수록면
34 - 40 (7page)

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Various depositional conditions, such as substrate, pressure, deposition time, temperature of substrate, power and gas composition, have mainly been studied to attain DLC films using RF sputtering system up to the current. In this study, the N2/Ar/CH4 gas mixture factored on characteristics of DLC deposited film such as structure, hardness, electrical property were investigated. The concentration of the N2 gas in the sputtering gas may be a significant effect on the growth rate of the doped films, because nitrogen ions react not only with the carbon atoms on the target but also with CxHy ions in the plasma on the substrate surface. It was seen from this experimental that the resistance of deposited film is decreased, and the relative intensity ratio of D to G peak is increased as nitrogen content of film deposition is increased.

목차

ABSTRACT
1. Introduction
2. Experimental
3. Results and Discussions
4. Conclusion
References

참고문헌 (21)

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