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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2013.1
- 수록면
- 145 - 150 (6page)
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본 연구에서는 차세대 나노소자인 DGMOSFET에 대하여 문턱전압 이하영역에서 발생하는 단채널 효과 중 문턱전압 및 드레인유도장벽감소의 변화를 스켈링 이론에 따라 분석하였다. 포아송방정식의 분석학적 해를 구하기 위하여 전하분포함수에 대하여 가우시안 함수를 사용함으로써 보다 실험값에 가깝게 해석하였으며 이때 가우시안 함수의 변수인 이온주입범위 및 분포편차 그리고 소자 파라미터인 채널의 두께, 도핑농도 등에 대하여 문턱전압 특성의 변화를 관찰하였다. 본 연구의 모델에 대한 타당성은 이미 기존에 발표된 논문에서 입증하였으며 본 연구에서는 이 모델을 이용하여 문턱전압이하 특성을 분석하였다. 분석결과 스켈링 이론 적용 시 문턱전압 및 드레인유도장벽감소 현상이 변화하였으며 변화 정도는 소자파라미터에 따라 변화한다는 것을 관찰하였다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 문턱전압과 스켈링 이론
Ⅲ. 스켈링 이론에 따른 문턱전압의 변화
Ⅳ. 결론
참고문헌
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A.J.Garcia-Loureiro / 2011 / Implementation of the Density Gradient Quantum Corrections for 3-D Simulations of Multigate Nanoscaled Transistors / IEEE Trans. on CAD of IC and Systems 30(6):841~851
K.A. Shaik / 2011 / Low power and fast adder implementation with Double Gate MOSFETs / 2011 Faible Tension Faible Consommation :23~26
G. Dessai / 2011 / Inclusion of the Accumulation Region in the Compact Models of Bulk and SOI FinFETs / IEEE Trans. Electron Devices 58(8):2644~2651
P.K. Tiwari / 2009 / A 2D Analytical Model of the Channel Potential and Threshold Voltage of Double-Gate(DG) MOSFETs with Vertical Gaussian Doping Profile / IMPACT-2009 :52~55
정학기 / 2011 / Analysis of Doping Profile Dependent Threshold Voltage for DGMOSFET Using Gaussian Function / Journal of Information and Communication Convergence Engineering 9(3):310~314
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