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저자정보
김진수 (인천대학교) 홍진우 (인천대학교) 김혜미 (인천대학교) 이재기 (가천대학교) 박종태 (인천대학교)
저널정보
한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 한국정보통신학회논문지 제17권 제1호
발행연도
2013.1
수록면
151 - 157 (7page)

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본 연구에서는 다중게이트 구조인 나노 와이어 n-채널 무접합(junctionless)와 반전모드(inversion mode) 다중게이트 MOSFET(Multiple-Gate MOSFET : MuGFET)의 PBTI에 의한 소자 특성 저하를 비교 분석하였다. PBTI에 의해서 무접합 및 반전모드 소자의 문턱전압이 증가하는 것으로 관측되었으며 무접합 소자의 문턱전압 변화가 반전모드 소자보다 작음을 알 수 있었다. 그러나 소자특성 저하 비율은 반전모드 소자가 무접합 소자보다 큰 것으로 관측되었다. 특성저하 활성화 에너지는 반전모드 소자가 무접합 소자보다 큰 것을 알 수 있었다. PBTI에 의한 소자 특성 저하가 무접합 소자보다 반전모드 소자가 더 심한 것을 분석하기 위하여 3차원 소자 시뮬레이션을 수행하였다. 같은 게이트 전압에서 전자의 농도는 같으나 수직방향의 전계는 반전모드 소자가 무접합 소자보다 큰 것을 알 수 있었다.
#무접합 다중게이트 MOSFET #반전모드 다중게이트 MOSFET #PBTI #소자 특성 저하 #Junctionless MuGFET #Inversion mode MuGFET #PBTI #Device degradation

목차

요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 소자제작
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌

참고문헌 (7)

참고문헌 신청
Jong Tae Park / 2002 / Multiple gate SOI MOSFETs :Device design guidelines / IEEE Trans. Electron Device 49(12):2222~2228 google schola J. P. Colinge / 2004 / Multiple-gate SOI MOS-FETs / Solid-state Electronics 48(6):897~905 google schola J. P. Colinge / 2010 / Nanowire transistors without junction / Nature Nano- technology 5(3):225~229 google schola W.C. Wu / 2008 / Positive Bias temperature Instability Character- istics of Contact Etch Stop Layer Induced Local Tensile Strained HfO2 nMOSFET / IEEE Electron Device Letter 29:1340~1343 google schola H. Kufluoglu / 2006 / Theory of Interface trap Induced NBTI degradation for reduced cross section MOSFETs / IEEE Trans. Electron Devices 53:1120~1130 google schola

이 논문의 저자 정보

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