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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2012.6
- 수록면
- 1,260 - 1,265 (6page)
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본 연구에서는 가우스분포함수의 형태에 따라 DGMOSFET에 스켈링이론을 적용하였을 때 문턱전압이하특성의 변화를 분석하고자 한다. 포아송방정식의 분석학적 해를 구할 때 사용하는 전하분포함수에 가우시안 함수를 적용함으로써 보다 실험값에 가깝게 해석하였으며 이때 가우시안 함수의 변수인 이온주입범위 및 분포편차에 대하여 문턱전압이하 특성의 변화를 관찰하였다. 본 연구의 모델에 대한 타당성은 이미 기존에 발표된 논문에서 입증하였으며 본 연구에서는 이 모델을 이용하여 문턱전압이하 특성을 분석할 것이다. 스켈링이론은 소자파라미터의 변화에 대하여 출력특성을 변함없이 유지하기 위하여 적용하는 이론이다. DGMOSFET에 스켈링이론을 적용한 결과, 가우스함수의 형태에 따라 문턱전압이하 특성이 매우 크게 변화하였으며 특히 문턱전압의 변화는 상대적으로 매우 크게 나타난다는 것을 관찰하였다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 문턱전압이하 특성
Ⅲ. 가우스함수에 따른 문턱전압 이하특성의 변화
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (6)
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1. [단행본] - Sima Dimitrijeve / 2012 / Principles of Semiconductor Devices / Oxford
2. [학술대회논문] - K.A.Shaik / 2011 / Low power and fast adder implementation with Double Gate MOSFETs / 2011 Faible Tension Faible Consommation : 23 ~ 26
3. [학술대회논문] - P.K. Tiwari / 2009 / A 2D Analytical Model of the Channel Potential and Threshold Voltage of Double-Gate(DG) MOSFETs with Vertical Gaussian Doping Profile / IMPACT-2009 : 52 ~ 55
4. [학술지(정기간행물)] - D.S.Havaldar / 2006 / Subthreshold Current Model of FinFETs Based on Analytical Solution of 3-D Poisson's Equation / IEEE Trans. Electron Devices 53 (4)
5. [학술지(정기간행물)] - H.K.Jung / 2011 / Analysis of Doping Profile Dependent Threshold Voltage for DGMOSFET Using Gaussian Function / International Journal of KIMICS 9 (3) : 310 ~ 314
2. [학술대회논문] - K.A.Shaik / 2011 / Low power and fast adder implementation with Double Gate MOSFETs / 2011 Faible Tension Faible Consommation : 23 ~ 26
3. [학술대회논문] - P.K. Tiwari / 2009 / A 2D Analytical Model of the Channel Potential and Threshold Voltage of Double-Gate(DG) MOSFETs with Vertical Gaussian Doping Profile / IMPACT-2009 : 52 ~ 55
4. [학술지(정기간행물)] - D.S.Havaldar / 2006 / Subthreshold Current Model of FinFETs Based on Analytical Solution of 3-D Poisson's Equation / IEEE Trans. Electron Devices 53 (4)
5. [학술지(정기간행물)] - H.K.Jung / 2011 / Analysis of Doping Profile Dependent Threshold Voltage for DGMOSFET Using Gaussian Function / International Journal of KIMICS 9 (3) : 310 ~ 314
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