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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2012.3
- 수록면
- 558 - 564 (7page)
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Sol-gel 법으로 Eagle 2000 유리 기판 위에 Ga 도핑 농도와 열처리 온도에 따른 GZO 박막을 제작하여, 전기적 및 광학적 특성을 조사하였다. 1 ㏖% Ga 이 도핑되고 600 ℃ 에서 열처리한 GZO 박막에서 가장 우수한 (002) 배향성이 관찰되었다. Hall 측정 결과, Ga 도핑 농도가 증가함에 따라 segregation 효과로 인한 캐리어 농도의 감소와 비저항 값의 증가가 관찰되었다. 1 ㏖% Ga 이 도핑되고 600 ℃ 에서 열처리한 GZO 박막에서 가장 큰 캐리어 농도(9.13×10<SUP>18</SUP> ㎝<SUP>-3</SUP>) 와 가장 낮은 비저항 (0.87 Ωcm) 값을 나타내었다. 모든 박막은 가시광 영역에서 약 80 % 이상의 투과율을 보였으며, Ga 농도가 1 에서 4 ㏖% 로 증가함에 따라 에너지 밴드 갭이 좁아지는 Burstein-Moss 효과가 관찰되었다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 결과 및 논의
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (16)
참고문헌 신청
1. [단행본] - G.P.Crawford / 2005 / Flexible Flat Panel Displays / John Wiley & Sons Inc.
2. [학술지(정기간행물)] - H.Ohta / 2004 / Transparent oxide optoelectronics / Materials Today 7 : 42 ~ 51
3. [학술지(정기간행물)] - B.D.Ahn / 200802 / Thermally stable, highly conductive, and transparent Ga-doped ZnO thin films / THIN SOLID FILMS 516 (7) : 1382 ~ 1385
4. [학술지(정기간행물)] - C.Guillen / 2006 / High conductivity and transparent ZnO:Al films prepared at low temperature by DC and RF magnetron sputtering / Thin Solid Films 515 : 640 ~ 643
5. [학술지(정기간행물)] - V.Bhosle / 2006 / Metallic conductivity and metal-semiconductor transition in Ga-doped ZnO / Appl. Phys. Lett. 88 : 032106 ~ 032108
2. [학술지(정기간행물)] - H.Ohta / 2004 / Transparent oxide optoelectronics / Materials Today 7 : 42 ~ 51
3. [학술지(정기간행물)] - B.D.Ahn / 200802 / Thermally stable, highly conductive, and transparent Ga-doped ZnO thin films / THIN SOLID FILMS 516 (7) : 1382 ~ 1385
4. [학술지(정기간행물)] - C.Guillen / 2006 / High conductivity and transparent ZnO:Al films prepared at low temperature by DC and RF magnetron sputtering / Thin Solid Films 515 : 640 ~ 643
5. [학술지(정기간행물)] - V.Bhosle / 2006 / Metallic conductivity and metal-semiconductor transition in Ga-doped ZnO / Appl. Phys. Lett. 88 : 032106 ~ 032108
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