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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2013.4
- 수록면
- 917 - 921 (5page)
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본 연구에서는 이중게이트 MOSFET의 전도중심에 따른 항복전압의 변화를 분석하였다. DGMOSFET에 대한 단채널효과 중 낮은 항복전압은 소자동작에 저해가 되고 있다. 항복전압분석을 위하여 포아송방정식의 분석학적 전위분포를 이용하였으며 이때 전하분포함수에 대하여 가우시안 함수를 사용함으로써 보다 실험값에 가깝게 해석하였다. 소자 파라미터인 채널길이, 채널두께, 게이트 산화막 두께 그리고 도핑농도 등에 대하여 전도중심의 변화에 대한 항복전압의 변화를 관찰하였다. 본 연구의 모델에 대한 타당성은 이미 기존에 발표된 논문에서 입증하였으며 본 연구에서는 이 모델을 이용하여 항복전압특성을 분석하였다. 분석결과 항복전압은 소자파라미터에 에 대한 전도중심의 변화에 크게 영향을 받는 것을 관찰할 수 있었다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 항복전압모델 및 전도중심
Ⅲ. 항복전압 및 전도중심에 대한 결과고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (7)
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1. [인터넷자원] - / / Technology Roadmap on Semiconductors
2. [학술지(정기간행물)] - J.Sallese / 2011 / Charge Based Modeling of Junctionless Double-Gate Field-Effect Transistors / IEEE Trans. Electron Devices 58 (8) : 2628 ~ 2637
3. [학술지(정기간행물)] - 정학기 / 2011 / Analysis of Doping Profile Dependent Threshold Voltage for DGMOSFET Using Gaussian Function / Journal of Information and Communication Convergence Engineering 9 (3) : 310 ~ 314
4. [학술지(정기간행물)] - D.S.Havaldar / 2006 / Subthreshold Current Model of FinFETs Based on Analytical Solution of 3-D Poisson's Equation / IEEE Trans. Electron Devices 53 (4) : 737 ~ 741
5. [학술대회논문] - P.K. Tiwari / 2009 / A 2D Analytical Model of the Channel Potential and Threshold Voltage of Double-Gate(DG) MOSFETs with Vertical Gaussian Doping Profile / IMPACT-2009 : 52 ~ 55
2. [학술지(정기간행물)] - J.Sallese / 2011 / Charge Based Modeling of Junctionless Double-Gate Field-Effect Transistors / IEEE Trans. Electron Devices 58 (8) : 2628 ~ 2637
3. [학술지(정기간행물)] - 정학기 / 2011 / Analysis of Doping Profile Dependent Threshold Voltage for DGMOSFET Using Gaussian Function / Journal of Information and Communication Convergence Engineering 9 (3) : 310 ~ 314
4. [학술지(정기간행물)] - D.S.Havaldar / 2006 / Subthreshold Current Model of FinFETs Based on Analytical Solution of 3-D Poisson's Equation / IEEE Trans. Electron Devices 53 (4) : 737 ~ 741
5. [학술대회논문] - P.K. Tiwari / 2009 / A 2D Analytical Model of the Channel Potential and Threshold Voltage of Double-Gate(DG) MOSFETs with Vertical Gaussian Doping Profile / IMPACT-2009 : 52 ~ 55
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