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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2013.5
- 수록면
- 1,196 - 1,202 (7page)
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본 연구에서는 이중게이트 MOSFET에 대한 항복전압의 변화를 채널도핑 및 소자파라미터에 따라 이차원 전위 분포모델을 이용하여 분석한 것이다. 낮은 항복전압은 전력소자동작에 저해가 되고 있으며 소자의 크기가 감소하면서 발생하는 단채널 효과에 의하여 이중게이트 MOSFET의 경우도 심각하게 항복전압이 감소하고 있다. 항복전압분석을 위하여 포아송방정식의 이차원 해석학적 전위분포모델을 이용하여 채널도핑농도와 소자 파라미터인 채널길이, 채널두께, 게이트산화막 두께 등에 대하여 항복전압의 변화를 관찰하였다. 분석결과 항복전압은 채널도핑 농도의 크기뿐만이 아니라 소자크기 파라미터에 대해서 커다란 변화를 보이고 있었으며 특히 채널도핑함수인 가우시안 함수의 형태에 따라서도 큰 변화를 보이고 있다는 것을 관찰할 수 있었다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 전위분포와 항복전압 모델
Ⅲ. 항복전압 및 전도중심에 대한결과고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (9)
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1. [단행본] - S. Dimitrijev / 2012 / Principles of Semicon- ductor Devices
2. [학술지(정기간행물)] - M.Ertosun / 2006 / Investigation of Capacitorless Double-Gate Single-Transistor DRAM: With and Without Quantum Well / IEEE Trans. Electron Devices 53 (4) : 737 ~ 741
3. [학술지(정기간행물)] - D.Tekleab / 2009 / Modeling and Analysis of Parasitic Resistance in Double-Gate FinFETs / IEEE Trans. Electron Devices 56 (10) : 2291 ~ 2296
4. [학술대회논문] - P.K. Tiwari / 2009 / A 2D Analytical Model of the Channel Potential and Threshold Voltage of Double-Gate(DG) MOSFETs with Vertical Gaussian Doping Profile / IMPACT-2009 : 52 ~ 55
5. [학술지(정기간행물)] - W.Fulop / 1967 / Calculation of Avalanche Breakdown Voltages of Silicon p-n Junctions / Solid-State Electronics 10 : 39 ~ 43
2. [학술지(정기간행물)] - M.Ertosun / 2006 / Investigation of Capacitorless Double-Gate Single-Transistor DRAM: With and Without Quantum Well / IEEE Trans. Electron Devices 53 (4) : 737 ~ 741
3. [학술지(정기간행물)] - D.Tekleab / 2009 / Modeling and Analysis of Parasitic Resistance in Double-Gate FinFETs / IEEE Trans. Electron Devices 56 (10) : 2291 ~ 2296
4. [학술대회논문] - P.K. Tiwari / 2009 / A 2D Analytical Model of the Channel Potential and Threshold Voltage of Double-Gate(DG) MOSFETs with Vertical Gaussian Doping Profile / IMPACT-2009 : 52 ~ 55
5. [학술지(정기간행물)] - W.Fulop / 1967 / Calculation of Avalanche Breakdown Voltages of Silicon p-n Junctions / Solid-State Electronics 10 : 39 ~ 43
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