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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2012.5
- 수록면
- 1,009 - 1,014 (6page)
이용수
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본 논문은 LTE-Advanced 시스템에 적용할 수 있는 2,500 ㎒∼2,570 ㎒ 대역 0.13-㎛ CMOS RF front-end 송신기를 제안하며 I/Q 상향주파수변환기와 구동증폭기로 구성되어있다. 상향주파수변환기는 우수한 선형특성을 얻기 위해 공진회로를 부하로 사용하였으며 국부발진신호의 누설을 줄이기 위해 전류 보상회로를 사용하였다. 또한, 제안하는 구동증폭기는 높은 전류 효율과 우수한 선형특성을 확보하기 위해 Class AB 바이어스 상태로 설계되었다. 측정 결과 제안하는 RF front-end 송신기는 최대 +6 ㏈m의 출력 파워를 제공하며, +0 ㏈m 출력 시 이미지 신호 및 국부 발진 누설 신호와 40 ㏈c의 차이를 보인다. 제작된 칩은 1.2 V의 공급 전압으로부터 36 ㎃ 전류를 소모한다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. RF 송신단 구조
Ⅲ. RF 송신단 회로 설계
Ⅳ. 측정 결과
Ⅴ. 결론
참고문헌
참고문헌 (10)
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1. [학술지(정기간행물)] - 윤영우 / 2011 / LTE-Advanced 표준 기술 (REL-10 동향 및 REL-11 전망 / 한국통신학회지 (정보와 통신) 28 (6) : 2 ~ 96
2. [기타자료] - IEEE / 2005 / Part 16: Air interface for fixed and mobile broadband wireless access systems amendment for physical and medium access control layers for combines fixed and mobile operation in licensed bands / IEEE P802.16/D8
3. [학술지(정기간행물)] - 이성은 / 2008 / OFDMA 하향링크 시스템에서의 PAPR 저감을 위한 다단계 및 가변길이 첨두 윈도윙 기법들 / 전자공학회논문지 - TC 45 (2) : 67 ~ 74
4. [학술대회논문] - H.Kuo / 2008 / A 0.13 ㎛ CMOS Transmitter with 72-dB RF Gain Control for Mobile Wimax/Wibro Applications / IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium : 105 ~ 108
5. [학술지(정기간행물)] - Gabriel Brenna / 2004 / A 2-GHz Carrier Leakage Calibrated Direct-Conversion WCDMA Transmitter in 0.13-㎛ CMOS / IEEE Journal Of Solid-State Circuits 39 (8) : 1253 ~ 1262
2. [기타자료] - IEEE / 2005 / Part 16: Air interface for fixed and mobile broadband wireless access systems amendment for physical and medium access control layers for combines fixed and mobile operation in licensed bands / IEEE P802.16/D8
3. [학술지(정기간행물)] - 이성은 / 2008 / OFDMA 하향링크 시스템에서의 PAPR 저감을 위한 다단계 및 가변길이 첨두 윈도윙 기법들 / 전자공학회논문지 - TC 45 (2) : 67 ~ 74
4. [학술대회논문] - H.Kuo / 2008 / A 0.13 ㎛ CMOS Transmitter with 72-dB RF Gain Control for Mobile Wimax/Wibro Applications / IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium : 105 ~ 108
5. [학술지(정기간행물)] - Gabriel Brenna / 2004 / A 2-GHz Carrier Leakage Calibrated Direct-Conversion WCDMA Transmitter in 0.13-㎛ CMOS / IEEE Journal Of Solid-State Circuits 39 (8) : 1253 ~ 1262
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