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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2007.9
- 수록면
- 1,717 - 1,723 (7page)
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목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (9)
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1. [학술지(정기간행물)] - C. H. Huang / 2002 / Electrical Properties of Metal-Ferroelectric-Insulator- Semiconductor Using Sol-Gel Derived SrBi2Ta2O9 Film and Ultra-Thin Si3N4 Buffer Layer / Thin Solid Films 420-421 : 377 ~ 381
2. [학술지(정기간행물)] - T. P. Ma / 2002 / Why is Nonvolatiel Ferroelectric Memory Field-Effect Transistor Still Elusive / IEEE Electron Device Letters 23 (7) : 386 ~ 388
3. [학술지(정기간행물)] - K. Ashikaga / 1999 / Analysis of Memory Retention Characteristics of Ferroelectric Field Effect Transistors Using a Simple Metal-Ferroelectric-Metal- Insulator- Semiconductor Structure / J. Appl. Phys. 85 (10) : 7471 ~ 7476
4. [학술지(정기간행물)] - X. Wang / 2001 / Processing and Characterization of LiNbO3 Thin Film for Metal Ferroelectric Semiconductor Field Effect Transistor (MFSFET) Application / Integrated Ferroelectrics 40 : 171 ~ 180
5. [학술지(정기간행물)] - H. B. Kang / 2006 / A Dual-Gate Cell (DGC) FeRAM with NDRO and Random Access Scheme Nanoscale and Terabit Non-Volatile Memory / Integrated Ferroelectrics 81 : 141 ~ 148
2. [학술지(정기간행물)] - T. P. Ma / 2002 / Why is Nonvolatiel Ferroelectric Memory Field-Effect Transistor Still Elusive / IEEE Electron Device Letters 23 (7) : 386 ~ 388
3. [학술지(정기간행물)] - K. Ashikaga / 1999 / Analysis of Memory Retention Characteristics of Ferroelectric Field Effect Transistors Using a Simple Metal-Ferroelectric-Metal- Insulator- Semiconductor Structure / J. Appl. Phys. 85 (10) : 7471 ~ 7476
4. [학술지(정기간행물)] - X. Wang / 2001 / Processing and Characterization of LiNbO3 Thin Film for Metal Ferroelectric Semiconductor Field Effect Transistor (MFSFET) Application / Integrated Ferroelectrics 40 : 171 ~ 180
5. [학술지(정기간행물)] - H. B. Kang / 2006 / A Dual-Gate Cell (DGC) FeRAM with NDRO and Random Access Scheme Nanoscale and Terabit Non-Volatile Memory / Integrated Ferroelectrics 81 : 141 ~ 148
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