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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2013.8
- 수록면
- 1,885 - 1,890 (6page)
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본 연구에서는 극저온에서 다중 게이트 구조인 나노스케일 p-채널 무접합(junctionless) 과 축적모드(accumulation mode) 다중 게이트 FET의 전기적 특성을 분석하였다. 헬륨을 사용하는 극저온 프로브 스테이션을 사용하여 소자를 측정하였다. 극저온과 낮은 드레인 전압에서 무접합 트랜지스터의 드레인 전류의 진동 현상이 축적모드 보다 심한 것을 알 수 있었다. 이는 무접합 트랜지스터에서는 채널이 실리콘 박막의 가운데 형성되므로 전기적 채널 폭이 축적 모드 트랜지스터 보다 작기 때문이다. 온도가 증가할수록 드레인 전류가 증가하며 최대 전달 컨덕턴스도 증가하는 것을 알 수 있었다. 이는 온도가 증가할수록 문턱전압이 감소하며 이동도가 증가하는 데서 기인된 것을 알 수 있었다. 소자의 크기가 나노미터 레벨로 축소되면 양자현상에 의한 드레인 전류 진동이 상온에도 일어날 수 있다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 소자제작 및 측정
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (9)
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3. [학술지(정기간행물)] - C. W. Lee / 2010 / High-temperature performance of silicon junctionless MOSFETs / IEEE Trans. Electron Devices 57 (3) : 620 ~ 625
4. [학술지(정기간행물)] - J.P. Colinge / 2006 / Low temperature electron mobility in Trigate SOI MOSFETs / IEEE Electron Device Letter 27 (2) : 120 ~ 122
5. [학술지(정기간행물)] - J.P. Colinge / 2006 / Room temperature low dimensional effects in Pi-gate SOI MOSFETs / IEEE Electron Device Letter 27 (9) : 775 ~ 777
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