메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류
인문학
인문학 일반 역사학 철학 종교학 어문학 기타 인문학
사회과학
사회과학 일반 경영학 관광학 교육학 군사학 문헌정보학 법학 사회학 신문방송학 심리과학 정치외교학 지리학 행정학 경제학 무역학 인류학 기타 사회과학
자연과학
자연과학 일반 물리학 생물학 생활과학 수학·통계학 천문학 지구과학 화학 기타 자연과학
공학
공학 일반 건축공학 기계공학 산업공학 재료·에너지공학 전기전자공학 조선해양공학 화학공학 컴퓨터학 기타공학
의약학
의학 일반 간호학 수의학 약학 한의학 기초의학 임상의학 기타 의약학
농수해양학
농수해양학 일반 농학 수산학 식품과학 임학 축산학 해상운송학 기타 농수해양학
예술체육학
예술 일반 디자인 미술 미용 사진 음악학 의상 체육 공연매체예술 기타 예술체육학
복합학
학제간연구 과학기술학 뇌인지과학 기술정책 기타 복합학

ENG

추천
검색
질문

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
최운성 (광운대학교) 이경학 (광운대학교) 어윤성 (광운대학교)
저널정보
한국전자파학회 한국전자파학회논문지 韓國電磁波學會論文誌 第24卷 第11號
발행연도
2013.11
수록면
1,081 - 1,090 (10page)

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색
질문

초록· 키워드

오류제보하기
본 논문에서는 C-대역에서 입출력 정합 회로가 패키지에 내장된 10 W급 내부 정합 증폭기 설계 및 제작을 하였다. 전력증폭기 설계에 사용한 트랜지스터로 GaAs pHEMT bare-chip을 사용하였다. 트랜지스터 패드 위치와 커패시터 크기를 고려한 와이어 본딩 해석으로 정확도 높은 설계를 하였다. 패키지와 정합 회로를 함께 EM simulation하여 패키지가 정합 회로에 미치는 영향을 해석하였다. 2-tone 측정 시 memory effect로 인해 발생되는 IMD3의 비대칭성을 줄이기 위한 memory effect 감쇄 바이어스 회로를 제안 및 설계하였다. 측정 결과, 7.1～7.8 ㎓ 대역에서 P1㏈는 39.8～40.4 ㏈m, 전력 이득은 9.7～10.4 ㏈, 효율은 33.4～38.0 %을 얻었고, 제안된 memory effect 감쇄 바이어스 회로로 IMD3(Upper)와 IMD3(Lower)차는 0.76 ㏈ 이하를 얻었다.
#IMFET #Memory Effect #C-Band Power Amplifier #GaAs pHEMT

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. Internally Matched FET 설계
Ⅲ. 제작 및 측정 결과
Ⅴ. 결론
참고문헌

참고문헌 (11)

참고문헌 신청
1. [학술대회논문] - M. Kohno / 1994 / High efficient Cband 27 W internally-matched GaAs FET for space application / IEEE MTT-S International, Microwave Symposium Digest 1 : 273 ~ 276 google schola 2. [학술지(정기간행물)] - 정해창 / 2011 / WiMAX 대역 GaN HEMT 4 W 소형 전력증폭기 모듈 설계 / 한국전자파학회 논문지 22 (2) : 162 ~ 172 dbpia 3. [학술대회논문] - H. Noto / 2012 / X-and Ku-band internnaly matched GaN amplifiers with more than 100 W output power / Microwave Integrated Circuits Conference (Eu- MIC), 2012 7th European : 695 ~ 698 google schola 4. [학술지(정기간행물)] - 임종식 / 2008 / 고출력 트랜지스터 패키지 설계를 위한 새로운 와이어 본딩 방식 / 전기학회논문지ABCD 57 (4) : 653 ~ 659 dbpia 5. [학술지(정기간행물)] - 정해창 / 2011 / 사전-정합 로드-풀 측정을 통한 X-대역 40 W급 펄스 구동 GaN HEMT 전력증폭기 설계 / 한국전자파학회 논문지 22 (11) : 1034 ~ 1046 dbpia

이 논문의 저자 정보

이 논문과 함께 이용한 논문

65 ㎚ CMOS 공정을 이용한 V 주파수대 전력증폭기 설계
Sungah Lee ,  Chenglin Cui ,  김성균 외 1명 한국전자파학회논문지 2013 .04
전력증폭기 트랜지스터 파라미터의 능동 주파수 체배기 성능 영향에 대한 분석
박영철 한국전자파학회논문지 2011 .11
Metamaterial CRLH 전송선로를 이용한 이중대역 Class-E 전력증폭기 설계
임성규 ,  서철헌 전자공학회논문지-TC 2011 .09
전력증폭기의 2-톤과 CDMA 혼변조 특성을 동시에 만족시키는 방법에 관한 연구
안효성 ,  조숙희 ,  황문수 외 2명 한국전자파학회논문지 2003 .10
칩 인덕터를 사용하여 광대역 저지 특성을 갖는 소형 C-밴드 Semi-Lumped 저역 통과 여파기
장기언 ,  이기문 ,  김하철 외 1명 한국전자파학회논문지 2012 .12

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0

UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2014-420-003516099