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논문 기본 정보

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학술대회자료
저자정보
김규범 (한양대학교) 길규현 (한양대학교) 박용식 (한양대학교) 송윤흡 (한양대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2011년도 대한전자공학회 하계종합학술대회
발행연도
2011.6
수록면
620 - 623 (4page)

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In this paper, we proposed a novel sense amplifier for the Spin Torque Transfer Magneto-resistive Random Access Memory (STT-MRAM) to improve the reading speed and to be capable of stable sensing even under low Tunnel Magneto-Resistance (TMR) ratio and low current difference. The proposed sense amplifier is able to get the fast response time and to be a stable sensing by amplified the difference of reading currents flowing through the MTJ by using current mirror. As a simulation results, proposed sense amplifier is faster than conventional sense amplifier about 1.2㎱.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 이론적 배경
Ⅲ. 제안된 감지 증폭기
Ⅳ. 모의실험 결과
Ⅴ. 결론
참고문헌

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