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본 논문에서는 고조파 정합 기법을 이용하여 고효율 GaN HEMT 전력 증폭기를 설계 및 제작하고, 그 특성을 측정하였다. 고효율 특성을 얻기 위해 고조파 로드풀 시뮬레이션을 활용하였다. 즉, 기본 주파수뿐만 아니라 2차, 3차 등의 고조파에서 최적의 부하 임피던스를 찾아내었다. 이러한 고조파 로드풀 시뮬레이션 결과를 바탕으로 출력 정합 회로를 설계하였다. 제작한 전력 증폭기는 중심 주파수 1.85 ㎓에서 선형 전력 이득 20 ㏈ 및 33.7 ㏈m의 P1㏈(1 ㏈ gain compression point) 특성을 보였다. 그리고, 출력 전력 38.6 ㏈m에서 80.9 %의 최대 전력 부가 효율(Power Added Efficiency: PAE)을 나타냈으며, 이는 기존에 설계된 고효율 전력 증폭기와 비교했을 때 아주 우수한 효율 특성이다. 또한, W-CDMA 신호입력에 대한 측정 결과, 28.4 ㏈m의 평균 출력 전력에서 27.8 %의 PAE와 5 MHz offset 주파수에서 ?38.8 ㏈c의 ACLR(Adjacent Channel Leakage Ratio)을 보였다. 그리고, 다항식 맞춤 방식의 디지털 전치 왜곡(Digital Predistorion: DPD) 선형화 알고리듬을 구현하여 제작된 전력 증폭기의 ACLR을 6.2 ㏈ 정도 향상시킬 수 있었다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 고효율 전력 증폭기 설계
Ⅲ. 제작 및 측정 결과
Ⅳ. 결론
References
참고문헌 (12)
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1. [학술지(정기간행물)] - Y. -S. Lee / 2007 / A high-efficiency class-E GaN HEMT power amplifier for W-CDMA applications / IEEE Microw. Wireless Compon. Lett 17 (8) : 622 ~ 624
2. [학술지(정기간행물)] - M. van der Heijden / 2009 / A compact 12-watt high-efficiency 2.1-2.7 GHz class-E GaN HEMT power amplifier for base stations / in IEEE MTTS Int. Microw. Symp. Dig : 657 ~ 660
3. [학술지(정기간행물)] - Y. Y. Woo / 2006 / Analysis and experiments for high-efficiency class-F and inverse class-F power amplifiers / IEEE Trans. Microw. Theory Tech 54 (5) : 1969 ~ 1974
4. [학술지(정기간행물)] - F. H. Raab / 2001 / Maximum efficiency and output of class-F power amplifiers / IEEE Trans. Microw. Theory Tech 49 (6) : 1162 ~ 1166
5. [학술지(정기간행물)] - H. Xu / 2006 / A high-efficiency class-E GaN HEMT power amplifier at 1.9 GHz / IEEE Microw. Wireless Compon. Lett 16 (1) : 22 ~ 24
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