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자료유형
학술저널
저자정보
Purnima Hazra (Banaras Hindu University) S. K. Singh (Mewar University) S. Jit (Banaras Hindu University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.14 No.1
발행연도
2014.2
수록면
117 - 123 (7page)

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The fabrication and characterization of a Si/ZnO thin film heterojunction ultraviolet photodiode has been presented in this paper. ZnO thin film of ~100 nm thick was deposited on <100> Silicon (Si) wafer by atomic layer deposition (ALD) technique. The Photoluminescence spectroscopy confirms that as-deposited ZnO thin film has excellent visible-blind UV response with almost no defects in the visible region. The room temperature current-voltage characteristics of the n-ZnO thin film/p-Si photodiodes are measured under an UV illumination of 650 <W at 365 nm in the applied voltage range of ±2V. The current-voltage characteristics demonstrate an excellent UV photoresponse of the device in its reverse bias operation with a contrast ratio of ~ 1115 and responsivity of ~0.075 A/W at 2 V reverse bias voltage.
#ZnO #silicon #ALD #heterojunction photodiode #contrast ratio #responsivity

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. EXPERIMENTAL DETAILS
Ⅲ. RESULTS AND DISCUSSION
Ⅳ. CONCLUSION
REFERENCES

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