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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2014.3
- 수록면
- 651 - 656 (6page)
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본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널도핑 변화에 따른 문턱전압이하 스윙의 변화를 분석하였다. 문턱전압이하 스윙은 문턱전압이하 영역에서 발생하는 차단전류의 감소정도를 나타내는 요소로서 디지털회로 적용에 매우 중요한 역할을 한다. 비대칭 이중게이트 MOSFET의 문턱전압이하 스윙을 분석하기 위하여 포아송방정식을 이용하였다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 대칭 이중게이트 MOSFET와 달리 상하단 게이트의 산화막 두께 및 인가전압을 다르게 제작할 수 있다. 본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널 내 농도변화 및 게이트 산화막 두께 그리고 인가전압 등이 문턱전압이하 스윙에 미치는 영향을 관찰하였다. 특히 포아송방정식을 풀 때 도핑분포함수로 가우스분포함수를 이용하였으며 가우스분포함수의 파라미터인 이온주입범위 및 분포편차에 대한 문턱전압이하 스윙의 변화를 관찰하였다. 분석결과, 문턱전압이하 스윙은 도핑농도 및 분포함수에 따라 크게 변화하였으며 게이트 산화막 두께 및 인가전압에 크게 영향을 받는 것을 관찰할 수 있었다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 비대칭 이중게이트 MOSFET의 문턱전압이하 스윙 모델
Ⅲ. 채널도핑분포에 따른 문턱전압이하 스윙 결과 고찰
Ⅳ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (8)
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1. [학술지(정기간행물)] - A.J.Garcia-Loureiro / 2011 / Implementation of the Density Gradient Quantum Corrections for 3-D Simulations of Multigate Nanoscaled Transistors / IEEE Trans. on CAD of IC and Systems 30 (6) : 841 ~ 851
2. [학술지(정기간행물)] - S.Jandhyala / 2012 / Inclusion of body doping in compact models for fully-depleted common double gate MOSFET adapted to gate-oxide thickness asymmetriy / Electronics Lett. 48 (13) : 794 ~ 795
3. [학술지(정기간행물)] - Chung Ha Suh / 2011 / Two-Dimensional Analytical Model for Deriving the Threshold Voltage of a Short Channel Fully Depleted Cylindrical/Surrounding Gate MOSFET / JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 11 (2) : 110 ~ 119
4. [학술지(정기간행물)] - H. Lu / 2006 / An analytical potential model for symmetric and asymmetric DGMOSFETs / IEEE Trans. on Electron Devices 53 (5) : 1161 ~ 1168
5. [학술지(정기간행물)] - A. Dey / 2008 / Analytical model of subthreshold current and slope for asymmetric 4T and 3T double-gate MOSFET / IEEE Trans. on Electron Devices 55 (12) : 3442 ~ 3449
2. [학술지(정기간행물)] - S.Jandhyala / 2012 / Inclusion of body doping in compact models for fully-depleted common double gate MOSFET adapted to gate-oxide thickness asymmetriy / Electronics Lett. 48 (13) : 794 ~ 795
3. [학술지(정기간행물)] - Chung Ha Suh / 2011 / Two-Dimensional Analytical Model for Deriving the Threshold Voltage of a Short Channel Fully Depleted Cylindrical/Surrounding Gate MOSFET / JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 11 (2) : 110 ~ 119
4. [학술지(정기간행물)] - H. Lu / 2006 / An analytical potential model for symmetric and asymmetric DGMOSFETs / IEEE Trans. on Electron Devices 53 (5) : 1161 ~ 1168
5. [학술지(정기간행물)] - A. Dey / 2008 / Analytical model of subthreshold current and slope for asymmetric 4T and 3T double-gate MOSFET / IEEE Trans. on Electron Devices 55 (12) : 3442 ~ 3449
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