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학술저널
저자정보
Dong-Hee Lee (Pusan National University) Sung-Min Park (Pusan National University) Dae-Kuk Kim (Pusan National University) Yoo-Sung Lim (Pusan National University) Moonsuk Yi (Pusan National University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.14 No.2
발행연도
2014.4
수록면
163 - 168 (6page)

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Bottom gate thin-film transistors were fabricated using solution processed IGZO channel layers with various gallium composition ratios that were annealed on a hot plate. Increasing the gallium ratio from 0.1 to 0.6 induced a threshold voltage shift in the electrical characteristics, whereas the molar ratio of In:Zn was fixed to 1:1. Among the devices, the IGZO-TFTs with gallium ratios of 0.4 and 0.5 exhibited suitable switching characteristics with low off-current and low SS values. The IGZO-TFTs prepared from IGZO films with a gallium ratio of 0.4 showed a mobility, on/off current ratio, threshold voltage, and subthreshold swing value of 0.1135 cm²/V·s, ~10<SUP>6</SUP>, 0.8 V, and 0.69 V/dec, respectively. IGZO-TFTs annealed at 300℃, 350℃, and 400℃ were also fabricated. Annealing at lower temperatures induced a positive shift in the threshold voltage and produced inferior electrical properties.
#IGZO #Oxide TFT #Solution-processed #annealing #Ga

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. EXPERIMENTAL DETAILS
III. RESULTS AND DISCUSSION
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES

참고문헌 (16)

참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - C. Park / 2010 / / Adv. Mater 22 : 5512 ~ google schola 2. [학술지(정기간행물)] - W. H. Jeong / 2011 / / Thin Solid Films 519 : 5740 ~ google schola 3. [학술지(정기간행물)] - S. Y. Lee / 2010 / / Thin Solid Films 518 : 3030 ~ google schola 4. [학술지(정기간행물)] - Keun Woo Lee / 2011 / Effects of UV light and carbon nanotube dopant on solution-based indium gallium zinc oxide thin-film transistors / Current Applied Physics 11 (3) : 280 ~ 285 google schola 5. [학술지(정기간행물)] - J. S. Park / 2012 / / Thin Solid Films 520 : 1679 ~ google schola

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