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저자정보
(Hoseo University) (Hoseo University) (Hoseo University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.14 No.5
발행연도
수록면
594 - 600 (7page)

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A threshold voltage compensation pixel circuit was developed for active-matrix organic light emitting diodes (AMOLEDs) using amorphous indium-gallium-zinc-oxide thin-film transistors (a-IGZO-TFTs). Oxide TFTs are n-channel TFTs; therefore, we developed a circuit for the n-channel TFT characteristics. The proposed pixel circuit was verified and proved by circuit analysis and circuit simulations. The proposed circuit was able to compensate for the threshold voltage variations of the drive TFT in AMOLEDs. The error rate of the OLED current for a threshold voltage change of 3 V was as low as 1.5%.
#Active matrix organic light-emitting diode (AMOLED) #pixel circuit #threshold voltage
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목차

  1. Abstract
  2. I. INTRODUCTION
  3. II. PROPOSED PIXEL CIRCUIT AND DRIVING METHOD
  4. III. RESULT AND DISCUSSION
  5. V. CONCLUSIONS
  6. REFERENCES

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