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저자정보
Ji Koon Park (한국국제대학교) Bong Jae Jung (한국국제대학교) Il Hong Choi (한국국제대학교) Si Cheol Noh (한국국제대학교)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지 전자공학회논문지 제51권 12호
발행연도
2014.12
수록면
189 - 194 (6page)

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본 연구에서는 새로운 구조의 X선 영상 검출기로써 광민감 HgI2 층이 포함된 CsI:Na 형광층의 구조를 설계하였다. 이러한 구조에서 X선은 두꺼운 CsI:Na 층에서 가시광선으로 변환된 후 하부의 얇은 HgI2 층에서 전하로 변환된다. CsI:Na와 HgI2로 구성된 복합구조의 두께를 최적화하기 각 층의 두께를 변화시켜 X선에 대한 흡수효율을 시뮬레이션 하였다. 현재 상용화된 a-Se 단일층의 검출기는 수십 kV의 고전압이 요구되고, CsI:Na/a-Si 구조의 간접변환 방식은 낮은 변환효율을 가지는 단점이 있다. 본 연구의 결과로 제시된 새로운 형태의 CsI:Na/HgI2 복층 구조의 x-ray 검출기는 고전압이 필요한 직접 변환방식의 단점과 간접 변환방식의 낮은 효율을 보완할 수 있을 것으로 생각된다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Experiments
Ⅲ. Results and Discussion
Ⅳ. Conclusion
REFERENCES

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