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SiO<SUB>2</SUB> 산화막이 제거되지 않은 Si(100) 기판 위에 실온에서 5 nm Ta과 5 nm MgO 기저층을 증착하고, 그 위에 RF 스퍼터링 기법으로 실온에서 약 35 nm 두께의 Fe<SUB>3</SUB>O<SUB>4</SUB> 박막을 적층하였다. 진공 후열처리에 따라 향상된 Fe<SUB>3</SUB>O<SUB>4</SUB> 박막의 결정성과 그에 따른 자기적 특성의 변화 양상을 관찰하였다. 500℃에서 1시간 동안 후열처리한 시료에 대해, 실온에서 강자성 특성을 보았을 뿐만 아니라, Fe<SUB>3</SUB>O<SUB>4</SUB> 박막의 고유한 특성으로 알려진 Verwey 상전이 현상 또한 관찰되었다. 후열처리에 의해 MgO 박막 위에 적층된 Fe<SUB>3</SUB>O<SUB>4</SUB>에 미치는 Ta 기저층의 영향에 대해 Ta이 삽입되지 않은 경우와 비교하여 논의 할 것이다.
목차
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 결과 및 논의
Ⅳ. 결론
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