Si 및 InP 위에 PECVD법에 의한 $Si_{3}N_{4}$의 증착

김남준 ,  유순재 ,  김앙서 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

1992 .01

金屬-絶緣體-金屬다이오드의 電氣的 特性에 관한 硏究

張在明 ,  白壽鉉 ,  閔南基

전기의세계

1982 .03

GaAs Metal-Insulator-Semiconductor형 태양전지의 제작 및 그 전기적 특성 ( Fabrication of GaAs Metal-Insulator-Semiconductor Solar Cell & Its Electrical Characteristics )

정기태 ,  정호선

대한전자공학회 학술대회

1984 .01

황처리가 금속 / InP Schottky 접촉과 Si3N4 / InP 계면들에 미치는 영향 ( Effects of Sulfur Treatments on metal / Inp Schottky Contact and Si3N4 / InP interfaces )

허준 ,  임한조 ,  김충환 외 3명

전자공학회논문지-A

1994 .12

Direct Wafer Bonding법에 의한 InP 기판과 $\textrm{Si}_3\textrm{N}_4$/InP의 접합특성

김선운 ,  신동석 ,  이정용 외 1명

한국재료학회지

1998 .01

SIS 태양전지의 제조 및 그 특성 ( Fabrication of Semiconductor - Insulator - Semiconductor Solar Cells and their Characteristics )

김진섭 ,  이덕동 ,  이우일

전자공학회지

1981 .08

Optical Properties of Si nanocrystalline using PECVD

Hyeon Hun Yang ,  Han Wool Kim ,  Chang Gwon Lee 외 5명

대한전기학회 학술대회 논문집

2011 .11

PECVD에 의한 μc-Si : H 박막트랜지스터의 제조 ( Fabrication of μc-Si : H TFTs by PECVD )

문교호 ,  이재곤 ,  최시영

전자공학회논문지-A

1996 .05

PECVD를 이용한 Si₃N₄ 박막의 공정변수에 따른 특성분석과 응용

신재완 ,  이복형 ,  이성대 외 6명

대한전자공학회 학술대회

1999 .06

GaAs Metal-Insulator-Semiconductor형 태양 전지의 제작 및 그 전기적 특성

정기태 ,  정호선

대한전자공학회 학술대회

1984 .11

PECVD를 이용한 SiO2 / Si3N4 박막의 특성 고찰 ( Characteristics of SiO2 / Si3N4 Films Using the PECVD Method Under Various Conditions )

김우진 ,  임우택 ,  김재영 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1991 .11

P+ -In_0.53Ga_0.47As/InP의 저항성 접촉 특성

김남준 ,  이재혁 ,  김돈수 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1995 .06

Electrical Properties of Metal-Insulator-Metal Diode for AM-LCD Driving

Jang Kwon Kim ,  Myung Jae Lee ,  Dong Sik Kim 외 1명

ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications

2002 .07

PECVD 기법에 의해 제조된 나노 결정 Si 박막의 구조 및 광학적 특성

심재현 ,  박명범 ,  한규호 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

2002 .01

PECVD 기법을 이용한 나노 결정 Si 박막의 제조 및 특성 평가

심재현 ,  박명범 ,  한규호 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

2001 .01

플라즈마 화학증착법으로 제조한 B-doped a-$Si_{1-X}$$C_X$:H 박막을 이용한 비정질 실리콘 박막 태양전지에 관한 연구

정연학 ,  박재석 ,  이재신

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

Metal-insulator-semiconductor diode consisting of two-dimensional nanomaterials

Hyun Jeong ,  Mun Seok Jeong ,  Won Seok Chang

대한기계학회 춘추학술대회

2017 .11

게이트 절연막에 의한 다이아몬드 MIS(Metal-Insulator-Semiconductor) 계면의 전기적 특성 개선과 전계효과 트랜지스터에의 응용

윤영

한국전자파학회논문지

2003 .06

Si 함량이 PECVD SiON 박막의 전기적 및 광학적 물성에 미치는 영향

유춘근 ,  구자춘 ,  오수진 외 3명

한국재료학회 학술발표대회

1999 .01

절연체 Al₂O₃ and Ta₂O₅ 사용한 Metal-Insulator-Metal 구조의 특성

정우덕 ,  최광남 ,  곽성관 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2004 .06