RESURF PB 다이오드의 항복전압과 최적 수평길이에 대한 해석적인 표현

신진철 ,  라경만 ,  최연익 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

RESURF 수평형 IGBT의 항복전압 ( The Breakdown Voltage of RESURF Lateral IGBT )

김민석 ,  김종오 ,  김범만

대한전자공학회 학술대회

1994 .07

RESURF 수평형 IGBT의 항복전압

김민석 ,  김종오 ,  김범만

대한전자공학회 학술대회

1994 .07

SOI RESURF 다이오드의 항복전압 ( Avalanche Breakdown Voltage of the SOI RESURF Diodes )

문태훈 ,  신진철 ,  최연익 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

SOI PN 다이오드의 항복전압과 최적 수평길이에 관한 연구 ( On the Breakdown Voltage and Optimum Drift Region Length of Silicon - On - Insulator PN Diodes )

한승엽 ,  신진철 ,  최연익 외 1명

전자공학회논문지-A

1994 .12

RESURF LDMOS의 항복전압에 관한 이론적인 고찰 ( A Theoretical Study on the Breakdown Voltage of the RESURF LDMOS )

한승엽 ,  정상구

전자공학회논문지-D

1998 .08

RESURF 수평형 DMOST의 최적화를 위한 새로운 모형 : 제1편 : 항복전압

김민석 ,  김종오 ,  김범만 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

RESURF 수평형 DMOST의 최적화를 위한 새로운 모형 - 제1편 ： 항복전압 ( New Model for RESURF Lateral DMOST Optimization - Part Ⅰ： Breakdown Voltage )

김민석 ,  김종오 ,  김범만 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

고내압 SOI RESURF 다이오드의 최적 설계에 관한 연구 ( A Study on The Optimal Design of High Voltage SOI RESURF Diode )

김종대 ,  박문양 ,  강진영 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

Multi RESURF구조를 갖는 LDMOS의 on 저항과 항복전압

최이권 ,  최연익 ,  정상구

대한전기학회 학술대회 논문집

2002 .11

SIPOS를 이용한 SOI RESURF 다이오드의 항복전압 특성

신동구 ,  한승엽 ,  최연익 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

1997 .07

6H-SiC PN 다이오드의 항복전압과 온-저항을 위한 해석적 표현

정용성

전자공학회논문지-SD

2009 .06

RESURF형 SOI LDMOS의 해석적인 모형 ( An Analytical Model for the RESURF-Type SoI LDMOS )

김성룡 ,  한승엽 ,  최연익 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .07

RESURF 수평형 DMOST의 최적화를 위한 새로운 모형 : 제2편 : ON-저항과 최적화

김종오 ,  김민석 ,  김범만 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

RESURF 수평형 DMOST의 최적화를 위한 새로운 모형 - 제2편 ： ON-저항과 최적화 ( New Model for RESURF Lateral DMOST Optimization - Part Ⅱ ： ON Resistance and Optimization )

김민석 ,  김종오 ,  김범만 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

0.35㎛ BCD 공정을 이용한 700V Double Resurf LDMOS Transistor 구현

문남칠 ,  전본근 ,  권경욱 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2010 .06

모놀리식 전력용 IC에서 다수의 항복 전압을 가지는 RESURF LDMOST의 구현

이세경 ,  최연익

대한전기학회 학술대회 논문집

2005 .11

Ⅲ-Ⅴ족 반도체에서 계단형 pn 접합의 해석적 항복전압 모델

정용성

전자공학회논문지-SD

2004 .09

SOI RESURF LDMOS의 표면전계에 대한 해석적 표현

韓承燁 ,  鄭鎭榮 ,  崔然益 외 1명

전기학회논문지

1996 .12

0.35um BCD 공정을 이용한 700V Double Resurf LDMOS Transistor 구현

문남칠 ,  전본근 ,  권경욱 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2010 .06