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MBE의 제작 및 Si 박막 성장
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
산화막 형성과 열처리를 이용한 $Si_{0.77}Ge_{0.23}$ 박막의 격자 이완
한국재료학회 학술발표대회
2004 .01
Characteristics of CdTe Epilayers Grown on Different Treated Si Substrates by MBE
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
$SiO_2$ 위에 LP-CVD로 증착한 비정질 $Si/Si_{0.69}Ge_{0.31}, Si_{0.69}Ge_{0.31}Si$ 및 Si의 결정화 거동
한국재료학회 학술발표대회
1995 .01
Si MBE를 이용한 양자구조 성장에 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
1994 .01
축적된 Ge층이 Si₁-ₓGeₓ/Si의 산화막 성장에 미치는 영향
대한전자공학회 학술대회
1998 .06
MBE 방법에 의한 Si 위에 GaAs 성장 ( Growth of GaAs on Si by MBE )
대한전자공학회 학술대회
1986 .01
Si₁ₓ-Geₓ/Si 구조에서의 Hall 이동도
대한전자공학회 학술대회
1998 .06
PAE에 의한 GaAs / Ge / Si구조를 의한 Si기판위의 Ge 결정성장 ( Ge crystal growth on Si substrate for GaAs / Ge / Si structure by Plasma Assisted Epitaxy )
대한전자공학회 학술대회
1989 .07
Growth and magnetic properties of $Si_{1-X}Mn_X$ thin films by MBE
한국재료학회 학술발표대회
2005 .01
MBE 방법으로 증착된 $Si_{1-x}Ge_x$ 박막의 응력완화
한국재료학회 학술발표대회
1996 .01
선형열처리를 이용한 Si(100)/Si₃N₄∥Si(100)기판쌍의 직접접합
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2000 .11
GaAs/Ge/Si 구조를 위하여 PAE법을 이용한 Si 기판위에 Ge 결정성장 ( Ge Crystal Growth on Si Substrate for GaAs/Ge/Si Structure by Plasma-Asisted Epitaxy )
전자공학회논문지
1989 .11
EFFECTS OF ${BF_2}^+$-IMPLANTATION ON THE STRAIN-RELAXATION AND CURRENT LEAKAGE IN N-TYPE $Ge_{0.06}Si_{0.94}$ LAYERS ON Si(100)
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
이온선보조증착에 의한 Si(100)상에서 정합성장된 $Si_{1-x}Ge_{x}$층의 성장방식
한국재료학회 학술발표대회
1994 .01
선형열처리를 이용한 Si(100)/Si$_3$N$_4$∥Si (100) 기판쌍의 직접접합
한국재료학회지
2001 .01
Si / Si0.8 Ge0.2 / Si 양자우물구조에서의 정공특성 분석
대한전자공학회 학술대회
1995 .01
MBE 방법에 의한 Si ( 001 ) 기판 위에 Single Domain GaAs 성장 ( The Growth of Single-Domain GaAs on Si substrates by MBE )
대한전자공학회 학술대회
1987 .11
이온선보조증착에 의한 Si(100)기판에 정합성장된 $Si_{0.5}Ge_{0.5}$박막의 성장방식
한국재료학회지
1995 .01
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