Shallow P n Junction Formation by the Epi-Co Silicide Formed using Co / Ti Bilayer

변성자 ,  김기범 ,  권상직 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

고농도 도핑된 Si 기판상에 Co/Ti 이중막 실리사이드 형성과 특성 연구

엄우용

전자공학회논문지-IE

2003 .12

Composite Target으로 증착된 Ti-Silicide의 형성 ( The Formation of Ti-Silicide Deposited With Composite Target )

강성건 ,  송영식 ,  황유상 외 7명

대한전자공학회 학술대회

1991 .11

Ti-실리사이드 형성에 관한 연구 ( A Study on the Ti-Silicide Formation )

김학균 ,  주승기

대한전자공학회 학술대회

1987 .07

Ti-실리사이트 형성에 관한 연구

김학균 ,  주승기

대한전기학회 학술대회 논문집

1987 .07

Co / Ti 이중막 실리사이드 접촉을 갖는 P+ -N 극저접합의 형성 ( Formation of P-N Ultra Shallow Junction with The Co / Ti Bilayer Silicide Contact )

신철상 ,  엄우용 ,  장호정 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

Co/Ti 이중막 실리사이드 접촉을 갖는 p+ - n 극저접합의 형성 ( Formation of p+ - n Ultra Shallow Junction with Co/Ti Bilayer Silicide Contact )

장지근 ,  엄우용 ,  신철상 외 1명

전자공학회논문지-D

1998 .05

Co 및 Co/Ti 이중막에 의해 형성된 Co-실리사이드의 열적 불안정성 ( Thermal Instability of Co-silicides formed by Co and Co/Ti Bilayer )

장지근 ,  엄우용 ,  신철상 외 1명

전자공학회논문지-A

1996 .11

Al-1%Si 과 Ti-Silicide의 반응성에 관한 연구 ( A Study on the Reaction of Al-1%Si with Ti-Silicide )

송영식 ,  백수현 ,  황유상 외 6명

대한전자공학회 학술대회

1992 .01

Co/Ti 이중막 실리사이드 접촉을 갖는 P⁺-N 극저접합 다이오드의 제작과 전기적특성

신철상 ,  엄우용 ,  장호정 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1997 .06

Poly-Si에 도핑공정변화에 따른 Ti-Silicides 형성반응에 관한 연구 ( The formation of Ti-Silicides with the change of doping process on the poly-Si )

류연수 ,  최진석 ,  백수현

대한전자공학회 학술대회

1988 .11

Ti Self-Aligned Silicide를 이용한 Contact에서의 전기적 특성

李鐵眞 ,  許允宗 ,  成英權

전기학회논문지

1992 .02

고속열확산에 의한 얕은접합 형성과 Ti- 실리사이드화 된 n⁺-p 다이오드 특성분석

崔度永 ,  李晟旭 ,  朱政奎 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

Si 기판에 주입된 BF2불순물이 Ti Silicides 형성에 미치는 영향 ( Effects of Implanted BF2 on the Formation of Ti-Silicides )

최석훈 ,  최진석 ,  백수현

전자공학회논문지

1990 .12

Ta층을 사용한 Ti-silicide의 응집화 방지에 관한 연구

강성건 ,  최진석 ,  황유상 외 3명

한국재료학회 학술발표대회

1992 .01

SOME CHARATERIZATIONS OF FUZZY SUBGROUPS

JAE-GYEOM KIM

한국지능시스템학회 학술발표 논문집

1994 .04

Poly-Si에 이온 지입된 dopants가 Ti-Silicides 형성에 미치는 영향 ( Effects of dopants introduced into the poly-Si on the formation of Ti-Silicides )

류연수 ,  최진석 ,  백수현

대한전자공학회 학술대회

1989 .07

Thermal Instability of ( Ti , Co ) Silicides by High Temperature Annealing

엄우용 ,  장호정 ,  장지근 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

Co / Ti 이중막 실리사이드 접촉을 갖는 P＋－N 극저접합 다이오드의 제작과 전기적 특성 ( Fabrication and Electrical Characteristics P＋－N Ultra Shallow Junction with Co/Ti Bilayer Silicide Contact )

신철상 ,  엄우용 ,  장호정 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1997 .07