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대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 대한전자공학회 2007년도 하계종합학술대회 논문집Ⅱ(반도체/컴퓨터/시스템 및 제어) 제30권 제1호
발행연도
2007.7
수록면
739 - 740 (2page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2007

Benefits of Arch Structure in Non-volatile Charge Trap Flash Memory
Jung-Hoon Lee ,  Il Han Pa ,  k 외 10명 대한전자공학회 학술대회 2007.07 학술대회자료
Benefits of Arch Structure in Non-volatile Charge Trap Flash Memory
Jung-Hoon Lee ,  Il Han Pa ,  k 외 10명 대한전자공학회 학술대회 2007.07 학술대회자료

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In a SONOS device, the thickness of oxide/nitride/oxide layer should be approximately 2/7/6 ㎚ - totally 11.5 ㎚ thick in terms of equivalent oxide thickness (EDT) These dielectrics are too thick to achieve good performance in nano-scale devices(＜50㎚).
We have proposed a novel SONOS memory structure-arch gate charge trap memory cell structure. It has improved program/erase due to the field concentration effects. In this p ... 전체 초록 보기

목차

Abstract
Introduction
Experiments and Results
Conclusion
Acknowledgments
References

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