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이용수
1998
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 방법
Ⅲ. 실험 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌
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축적된 Ge층이 Si₁-ₓGeₓ/Si의 산화막 성장에 미치는 영향
대한전자공학회 학술대회
1998 .06
Sil-xGex / Si 에피택셜층의 건식산화동안 Ge 재분포 ( The Ge Redistribution During Dry Oxidation of Si1-xGex / Si Epitaxial Layer )
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
저압 CVD에 의한 Si0.8 Ge0.2 막의 Epitaxial Growth ( Epitaxial Growth of Si0.8 Ge0.2 Layer by LPCVD )
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
저압 CVD에 의한 Si0.8Ge0.2막의 Epitaxial Growth
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
축적된 Ge층이 Si1-xGex / Si의 산화막 성장에 미치는 영향 ( The Effects of Piled up Ge-rich Layer on the Oxide Growth of Si1-xGex / Si Epitaxial Layer )
대한전자공학회 학술대회
1998 .07
$SiO_2$ 위에 LP-CVD로 증착한 비정질 $Si/Si_{0.69}Ge_{0.31}, Si_{0.69}Ge_{0.31}Si$ 및 Si의 결정화 거동
한국재료학회 학술발표대회
1995 .01
플라즈마를 이용한 Si 기판위에 Ge 결정성장 ( Plasma-assisted epitaxial growth of Ge layer on Si ( 100 ) in H2 Plasma )
대한전자공학회 학술대회
1988 .11
Si₁ₓ-Geₓ/Si 구조에서의 Hall 이동도
대한전자공학회 학술대회
1998 .06
Si(100)의 얇은 산화막을 통한 Co$Si_{2}$형성에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
Si 모재 위의 Si_(x)Ge_(1-x) 박막에서 부정합 전위와 임계두께에 관한 연구 ( Study on Misfit Dislocations and Critical Thickness in a Si_(x)Ge_(1-x) Epitaxial Film on a Si Substrate )
대한기계학회 춘추학술대회
2001 .06
고농도 Ge fraction을 갖는 Si₁ₓ-Geₓ막의 Epitaxial Growth에 대한 In-Situ Phosphorus Doping 효과
대한전자공학회 학술대회
1998 .06
산화막 형성과 열처리를 이용한 $Si_{0.77}Ge_{0.23}$ 박막의 격자 이완
한국재료학회 학술발표대회
2004 .01
MBE에 의한 Ge epitaxial layer 성장
한국재료학회 학술발표대회
1993 .01
Parametric study of the process parameters on the Si epitaxial growth
대한기계학회 춘추학술대회
2017 .05
결정구조가 Ge0.2 Si0.8의 습식열산화에 미치는 영향
대한전자공학회 학술대회
1994 .01
PAE에 의한 GaAs / Ge / Si구조를 의한 Si기판위의 Ge 결정성장 ( Ge crystal growth on Si substrate for GaAs / Ge / Si structure by Plasma Assisted Epitaxy )
대한전자공학회 학술대회
1989 .07
Si / Si0.8 Ge0.2 / Si 양자우물구조에서의 정공특성 분석
대한전자공학회 학술대회
1995 .01
SiGe/Si 다층박막의 광발광과 광전류
대한전자공학회 학술대회
2010 .06
GaAs/Ge/Si 구조를 위하여 PAE법을 이용한 Si 기판위에 Ge 결정성장 ( Ge Crystal Growth on Si Substrate for GaAs/Ge/Si Structure by Plasma-Asisted Epitaxy )
전자공학회논문지
1989 .11
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