분자 동역학을 이용한 점 결함 및 극 저 에너지 실리콘 이온 주입에 관한 연구 ( A Study on the Silicon Point Defects and Ultra-Low Energy Si Ion Implantation using Classical Molecular Dynamics )

Jeong Won Kang ,  Myung Sik Son ,  Ki Ryang Byun 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .07

고전 분자 동 역학 시뮬레이션을 이용한 실리콘 격자 손상과 극 저 에너지 붕소 이온 주입에 관한 연구

姜正遠 ,  康裕硬 ,  孫明植 외 2명

전자공학회논문지-D

1998 .12

A Study on the Ultra-Low Energy Ion Implantation Using Classical Molecular Dynamics Simulation

강정원 ,  손명식 ,  강유석 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

이온주입 특성 개선을 위한 분자동역학적 연구

양영준 ,  이치우

에너지공학

2009 .06

금속이온주입 특성 개선을 위한 분자동역학적 연구

양영준 ,  이치우 ,  김남경 외 1명

한국기계가공학회 춘추계학술대회 논문집

2009 .06

국부 셀 격자 결함 모델을 사용한 극 저 에너지 이온 주입에 관한 연구 ( A Study on the Ultra-Low Energy Ion Implantation using Local Cell Damage Accumulation Model )

권오근 ,  강정원 ,  황호정

전자공학회논문지-D

1999 .07

플라즈마 이온주입에서 쉬스 동역학에 관한 연구

김광훈 ,  조주현 ,  최영욱 외 4명

대한전기학회 학술대회 논문집

1998 .07

GSI소자 개발을 위한 극 저 에너지 이온 주입에 대한 분자 역학 시뮬레이션 ( Molecular dynamics simulation of ultra-low energy ion implantation for GSI device technology development )

강정원 ,  손명식 ,  황호정

전자공학회논문지-D

1998 .03

고에너지 이온주입 공정에 의한 유기 결함과 그 감소 대책

김영호 ,  김인수 ,  김창덕 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

1997 .07

Si 이온주입결함이 B의 channeling 및 확산에 미치는 영향

김광일 ,  정욱진 ,  배영호 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

Si 이온주입결함이 B 의 channeling 및 확산에 미치는 영향 ( Effects of Si Ion Induced Defects on Channeling and Diffusion on B )

김광일 ,  정욱진 ,  배영호 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

실리콘 웨이퍼의 이온주입각 변화에 의한 이온반사율에 관한 연구

姜龍哲 ,  李愚宣 ,  朴榮俊

전기학회논문지

1991 .06

고에너지 P 이온 주입한 실리콘에 형성된 격자 결함에 관한 고분해능 투과전자현미경 연구

장기완 ,  이정용 ,  조남훈 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

1995 .01

Classical Molecular Dynamics Study of Al lonized Physical Vapor Deposition on Silicon Surface

Jeong Won Kang ,  Young Ghik Lee ,  Won Ha Mun 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1999 .11

분자동역학을 이용한 온도에 따른 실리콘 단결정의 파괴인성 연구

나상민 ,  범현규

대한기계학회 춘추학술대회

2016 .04

The Molecular Dynamics Study of Rapid Quenching Fabrication of Amorphous Silicon

Youhwan Jo ,  Byeongchan Lee

대한기계학회 춘추학술대회

2017 .05

저 에너지 이온 주입의 개선을 위한 변형된 감속모드 이온 주입의 안정화 특성

박창준 ,  서용진 ,  김상용

전기전자재료학회논문지

2003 .01

실리콘 이온 주입후 고상 결정화시킨 다결정 실리콘 TFT의 전기적 특성 ( Electrical Characteristics of the Poly-Si TFT using SPC Films after Si Ion Implantation )

이병주 ,  김재영 ,  강문상 외 2명

전자공학회논문지-A

1993 .10

이온가속주입에 따른 알루미늄의 표면에너지 특성 변화 관찰

김기욱 ,  김용환 ,  정지환

대한기계학회 춘추학술대회

2014 .11