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강동민 (한국전자통신연구원) 민병규 (한국전자통신연구원) 이종민 (한국전자통신연구원) 윤형섭 (한국전자통신연구원) 김성일 (한국전자통신연구원) 안호균 (한국전자통신연구원) 임종원 (한국전자통신연구원) 남은수 (한국전자통신연구원)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2015년도 대한전자공학회 하계종합학술대회
발행연도
2015.6
수록면
231 - 234 (4page)

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This paper describes the successful development and the performance of X-band 40 W pulsed power amplifier using a 40 W GaN-on-SiC High Electron Mobility Transistor(HEMT). The GaN HEMT with a gate length of 0.25 ㎛ and a total gate width of 12 mm were fabricated. The GaN HEMT provide a linear gain of 6 dB with 42 W output power operated at 30V drain voltage in pulse operation with a pulse width 100 ㎲ and 10 % duty cycle at X-band. It also shows a maximum output power density of 3.3 W/mm. The X-band pulsed power amplifier exhibited an output power of 42 W(46.2 dBm) with a power gain of 6 dB in a frequency range of 9.2 - 9.5 GHz.. This 40 W GaN HEMT and X-band 40 W pulsed power amplifier are suitable for the radar systems and related applications in X-band.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. GaN HEMT 소자 제작 공정 및 특성
Ⅲ. 40W 전력증폭기 설계 및 제작
Ⅳ. 결론
참고문헌

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