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저자정보
Ji Hye Kim (Korea Advanced Institute of Science and Technology) Eun Seok Cha (Korea Advanced Institute of Science and Technology) Byong Guk Park (Korea Advanced Institute of Science and Technology) Byung Tae Ahn (Korea Advanced Institute of Science and Technology)
저널정보
한국태양광발전학회 Current Photovoltaic Research Current Photovoltaic Research (CPVR) Vol.3 No.2
발행연도
2015.6
수록면
39 - 44 (6page)

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Cu(In,Ga)₃Se<SUB>5</SUB> (β-CIGS) has a band gap of 1.35 eV which is an optimum value for high solar-energy conversion efficiency. However, β-CIGS film was not well characterized yet due to lower efficiency compared to Cu(In,Ga)Se₂ (α-CIGS). In this work, β-CIGS films were fabricated by a three-stage co-evaporation of elemental sources with various Se fluxes. As the Se flux increased, the crystallinity of β-CIGS phase was improved from the analysis of Raman spectroscopy and a deep-level defect was reduced from the analysis of photoluminescence spectroscopy. A Se treatment of the β-CIGS film at 200°C increased Ga content and decreased Cu content at the surface of the film. With the Se treatment at 200°C, the cell efficiency was greatly improved for the CIGS films prepared with low Se flux due to the increase of short-circuit current and fill factor. It was found that the main reason of performance improvement was lower Cu content at the surface instead of higher Ga content.
#CIGS solar cells #Cu(In,Ga)₃Se< #SUB> #5< #/SUB> #β-CIGS #Deep-level defect #Surface modification

목차

ABSTRACT
1. Introduction
2. Experimental
3. Results
4. Conclusions
References

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Ji Hye Kim ,  Young Min Shin ,  Seung Tae Kim 외 2명 Current Photovoltaic Research 2013 .06

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