외부 베이스표면을 에미터 ledge로 포장한 InGaP / GaAs HBT의 신뢰도 향상

박재홍; 박재운

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자료유형: 학술저널

저자정보: 박재홍 박재운

저널정보: 한국컴퓨터정보학회 한국컴퓨터정보학회논문지 한국OA학회 논문지 제5권 제4호

발행연도: 2000.12

수록면: 102 - 105 (4page)

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외부 베이스 표면에 형성되는 표면 재결합 상태의 불안정성을 개선하기 위해 에미터 ledge 구조로 제작된 InGaP/GaAs HBT의 신뢰도 측정을 위해 고온에서 오랜 시간동안 정전류 스트레스를 인가하였다. 553K, 533K, 513K에서 콜렉터 전류 24㎃로 스트레스를 인가해 전류이득의 열화를 관찰하였다. 그 결과 EA=1.97eV, MTTF=4.8×108시간(140℃)을 구하였다. InGaP/GaAs HBT의 열화 원인은 베이스 도펀트인 C의 확산으로 추정된다.

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