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목차
Ⅰ. 서론
Ⅱ. TFET 소자 기술
Ⅵ. 향후연구 및 결론
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K. Mistry, C. Allen, C. Auth, B. Beattie, D. Bergstrom, M. Bost, M. Buechler, A. Cappellani, R. Chau, C.-H. Choi, G. Ding, K. Fischer, T. Ghani, R. Grover, W. Han, D. Hanken, M. Hattendorf, J. He, J. Hicks, R. Huessner, D. Ingerly, P. Jain, R. James, L. Jong, S. Joshi, C. Kenyon, K. Kuhn, K. Lee, H. Liu, J. Maiz, B. Mchlntyre, P. Moon, J. Neirynck, S. Pae, C. Parker, D. Parsons, C. Prasad, L. Pipes, M. Prince, P. Ranade, T. Reynolds, J. Sandford, L. Schifren, J. Sebastian, J. Seiple, D. Simon, S. Sivakumar, P. Smith, C. Thomas, T. Troeger, P. Vandervoorn, S. Williams, and K. Zawadzki, “A 45nm Logic Technology with High-k+Metal Gate Transistors, Strained Silicon, 9 Cu Interconnect Layers, 193nm Dry Patterning, and 100% Pb-free Packaging”, Int. Electron Devices Meeting Technical Dig., IEDM 2007, pp. 247-250, 2007.
D. Hisamoto, W. C. Lee, J. Kedzierski, H. Takeuchi, K Asano, C. Kuo, T. -J. K. Liu, J. B. Bokor, and C. Hu, “FinFET-a selfaligned double-gate MOSFET scalable to 20 nm”, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 47, pp. 2320-2325, 2000.
K. Rim, J. L. Hoyt, and F. Gibbons “Fabrication and Analysis of Deep Submicron Strained-Si N-MOSFETs”, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 47, pp. 1406-1415, 2000.
P. Packan, “Device and Circuit Interactions,” Int. Electron Devices Meeting., IEDM 2008, Short Course: Performance Boosters for Advanced CMOS Devices.
W. Y. Choi, B.-G. Park, J.D. Lee and T. -J. K. Liu, “Tunneling Field-Effect Transistors (TFETs) with Subthreshold Swing (SS) Less than 60 mV/dec”, IEEE Electron Deivce Lett., vol. 32, no. 4, pp.437-439, 2011.
D. Hisamoto, W. C. Lee, J. Kedzierski, H. Takeuchi, K Asano, C. Kuo, T. -J. K. Liu, J. B. Bokor, and C. Hu, “FinFET-a selfaligned double-gate MOSFET scalable to 20 nm”, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 47, pp. 2320-2325, 2000.
K. Rim, J. L. Hoyt, and F. Gibbons “Fabrication and Analysis of Deep Submicron Strained-Si N-MOSFETs”, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 47, pp. 1406-1415, 2000.
P. Packan, “Device and Circuit Interactions,” Int. Electron Devices Meeting., IEDM 2008, Short Course: Performance Boosters for Advanced CMOS Devices.
W. Y. Choi, B.-G. Park, J.D. Lee and T. -J. K. Liu, “Tunneling Field-Effect Transistors (TFETs) with Subthreshold Swing (SS) Less than 60 mV/dec”, IEEE Electron Deivce Lett., vol. 32, no. 4, pp.437-439, 2011.
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